[發明專利]蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模制造裝置、激光用掩模及有機半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201680006194.3
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107109622B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 宮寺仁子;二連木隆佳;武田利彥
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

1.一種蒸鍍掩模的制造方法，該蒸鍍掩模包含層積金屬層且設有與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部的樹脂掩模，其特征在于，包含如下的工序：

從層積有金屬層的樹脂板的金屬層側照射激光，并且在所述樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，

在形成所述開口部的工序中，通過使用設有開口區域和衰減區域的激光用掩模，利用在所述開口區域通過的激光，在樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，并且利用在所述衰減區域通過的激光，在所述樹脂板的開口部的周圍形成薄壁部，

所述開口區域與所述開口部對應，所述衰減區域位于該開口區域的周圍，并且使所照射的激光的能量衰減。

2.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

所述激光用掩模的衰減區域中的激光的透過率為50％以下。

3.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域，將兩個以上的貫通槽以同心狀配置。

4.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域，將兩個以上的貫通槽以斜條紋狀配置。

5.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域，配置有兩個以上的貫通孔。

6.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域，配置有貫通槽及貫通孔二者。

7.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的開口區域配置有貫通孔，

在所述激光用掩模的衰減區域配置有貫通槽及/或貫通孔，

所述開口區域的貫通孔和所述衰減區域的所述貫通槽及/或所述貫通孔連續。

8.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

將所述激光用掩模的衰減區域的寬度設為D，激光加工裝置的光學系統的縮小率設為a倍時，D/a的值比1μm大且比20μm小。

9.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

將所述激光用掩模的衰減區域的寬度設為D，所述D的1/3的寬度設為L時，被所述開口區域及所述衰減區域的邊界線和自所述邊界線離開了L的1/2寬度的線夾著的區域的所述激光用掩模的激光的透過率，比由自所述邊界線離開了L的1/2寬度的線和自所述邊界線離開了L的2/2寬度的線包圍的區域的所述激光用掩模的激光的透過率小。

10.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域配置有貫通槽及/或貫通孔，所述貫通槽及/或所述貫通孔的開口的寬度比激光的析像度和激光加工裝置的光學系統的縮小率的乘積的值小。

11.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域配置有不貫通的槽及/或不貫通的孔。

12.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的開口區域配置有不貫通的孔。

13.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在所述激光用掩模的衰減區域涂敷有使激光的能量衰減的涂料。

14.如權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其特征在于，

在以所述樹脂掩模的層積金屬層側的面朝上的方式配置所述蒸鍍掩模時，所述樹脂掩模具有截面形狀整體向上側凸的弧狀的開口部。