[發明專利]用于間隙檢測的智能止動器和控制機制有效
| 申請號: | 201680005492.0 | 申請日: | 2016-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN107112268B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | S·坎德沃爾;G·K·翁;K·格里芬;J·約德伏斯基 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/52;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 間隙 檢測 智能 止動器 控制 機制 | ||
1.一種沉積設備,包括:
止動器,所述止動器具有具備頂部、底部和開口的主體,所述頂部具備頂端,所述底部具備底端,并且所述開口從所述頂端延伸至所述底端;
致動器,所述致動器具有具備上部和下部的主體,所述上部具備上端,所述下部具備下端,所述上部具有延伸穿過所述致動器的所述主體的通路,所述通路具有第一端與第二端,所述致動器的尺寸經設計以可滑動地定位在所述止動器的所述開口內,使得當沒有力施加至所述致動器的所述下端時,所述致動器的所述下端從所述止動器的所述底端突出第一距離;
發射器,所述發射器與所述致動器中的所述通路的所述第一端對齊;以及
檢測器,所述檢測器與所述致動器中的所述通路的所述第二端對齊。
2.如權利要求1所述的沉積設備,進一步包含O形環,所述O形環在所述止動器與所述致動器之間,所述O形環在所述止動器與所述致動器之間形成流體緊密密封。
3.如權利要求1所述的沉積設備,進一步包含彈簧與板材,所述彈簧定位成相鄰于所述致動器的所述上端,并且所述板材定位成相鄰于所述彈簧,所述板材向所述彈簧提供壓力。
4.如權利要求3所述的沉積設備,其中所述止動器的所述頂部包括凸緣,并且所述板材以螺栓固定至所述凸緣。
5.如權利要求3所述的沉積設備,其中施加至所述致動器的所述下端的壓力使所述致動器在所述止動器中的所述開口內滑動,使得所述彈簧處于最大壓縮,并且所述致動器的所述下端從所述止動器的所述底端突出第二距離,所述第二距離比所述第一距離短。
6.如權利要求5所述的沉積設備,其中當所述彈簧處于最大壓縮時,所述致動器的所述下端從所述止動器的所述底端突出至少0.1毫米。
7.如權利要求5所述的沉積設備,其中所述致動器的移動使所述發射器與所述檢測器相對于所述通路的對齊情形改變。
8.如權利要求7所述的沉積設備,其中當所述致動器的所述下端從所述止動器突出所述第一距離時,所述發射器與所述檢測器相對于所述通路對齊,使得所述通路對來自所述發射器的正由所述檢測器檢測的光提供第一衰減,而當所述致動器突出所述第二距離時,所述通路對來自所述發射器的正由所述檢測器檢測的所述光提供第二衰減,使得所述第一衰減與所述第二衰減不同。
9.如權利要求8所述的沉積設備,其中當所述致動器突出所述第一距離時,所述第一衰減小于當所述致動器突出所述第二距離時的所述第二衰減。
10.如權利要求8所述的沉積設備,其中當所述致動器突出所述第一距離時,所述第一衰減大于當所述致動器突出所述第二距離時的所述第二衰減。
11.一種沉積設備,包括:
氣體分配組件,所述氣體分配組件具有前表面、后表面和邊緣;
底座組件,所述底座組件與所述氣體分配組件間隔開,用于繞中心軸旋轉多個基板,所述底座組件具有頂表面、底表面和邊緣,所述頂表面具有多個凹槽以固持多個基板,其中所述底座組件的所述頂表面和所述氣體分配組件的所述前表面界定間隙;
相機,所述相機具有視場,所述視場包含所述底座組件的邊緣;
控制器,所述控制器連接至所述相機以確定在所述底座組件的所述頂表面與所述氣體分配組件的所述前表面之間的所述間隙;以及
如權利要求4所述的設備,其中所述止動器上的凸緣連接至所述氣體分配組件的所述后表面,并且所述止動器的底端延伸穿過所述氣體分配組件并從所述氣體分配組件的所述前表面突出。
12.如權利要求11所述的沉積設備,進一步包括控制器,所述控制器具有反饋電路,所述反饋電路測量所述氣體分配組件與所述底座組件之間的所述間隙。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





