[發明專利]多層基板

有效

• 申請號: 201680004447.3
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN107112314B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 阿久津恭志;石松朋之
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18;H05K3/46
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;鄭冀之

1.一種多層基板，層疊了具有貫通電極的半導體基板，其中，

在多層基板的俯視觀察中，導電粒子選擇性地存在于貫通電極所對置的位置，該導電粒子除了選擇性地配置于該對置的所述貫通電極之間的導電粒子（11）之外，還包括對該對置的貫通電極的連接無貢獻的導電粒子（11x），

具有對置的貫通電極通過導電粒子連接、形成有該貫通電極的半導體基板彼此通過絕緣粘接劑粘接的連接構造。

2.如權利要求1所述的多層基板，是層疊具有貫通電極的第1半導體基板和具有貫通電極的第2半導體基板的多層基板，

具有第1半導體基板的貫通電極和第2半導體基板的貫通電極通過選擇性地配置在它們之間的導電粒子連接的連接構造。

3.如權利要求2所述的多層基板，其中，

具有貫通電極的第3半導體基板層疊在第2半導體基板，

具有這樣的連接構造：

與第1半導體基板的貫通電極連接的第2半導體基板的貫通電極，與第3半導體基板的貫通電極對置，并通過選擇性地配置在它們之間的導電粒子連接，

第2半導體基板與第3半導體基板通過絕緣粘接劑粘接。

4.如權利要求1或2所述的多層基板，其中，在第1半導體基板與第2半導體基板之間，不被對置的貫通電極捕獲的導電粒子的數量為存在于第1半導體基板與第2半導體基板之間的導電粒子的總數的5％以下。

5.如權利要求1或2所述的多層基板，其中，在多層基板的最外層具有散熱器，散熱器與由導電粒子連接從而在多層基板的層疊方向上相連的貫通電極連接。

6.一種多層基板的制造方法，使形成在半導體基板的貫通電極彼此對置并接合，其中，在具有貫通電極的半導體基板彼此之間夾住對應于貫通電極所對置的部分在多層基板的俯視觀察中的位置而在絕緣粘接劑層選擇性地配置導電粒子的各向異性導電性膜，對該各向異性導電性膜進行加熱加壓，從而各向異性導電性連接這些半導體基板，

該導電粒子除了選擇性地配置于該對置的所述貫通電極之間的導電粒子（11）之外，還包括對該對置的貫通電極的連接無貢獻的導電粒子（11x）。

7.如權利要求6所述的多層基板的制造方法，是對具有貫通電極的第1半導體基板和具有貫通電極的第2半導體基板，使它們的貫通電極彼此對置而接合的多層基板的制造方法，在第1半導體基板與第2半導體基板之間夾住導電粒子對應于貫通電極的配置而選擇性地配置在絕緣粘接劑層的各向異性導電性膜，對該各向異性導電性膜進行加熱加壓，從而各向異性導電性連接第1半導體基板與第2半導體基板。

8.如權利要求6或7所述的多層基板的制造方法，其中，將具有貫通電極的第3半導體基板層疊在第2半導體基板，在與第1半導體基板的貫通電極各向異性導電性連接的第2半導體基板的貫通電極和第3半導體基板的貫通電極之間，夾住導電粒子對應于貫通電極的配置而選擇性地配置在絕緣粘接劑層的各向異性導電性膜，對該各向異性導電性膜進行加熱加壓，從而各向異性導電性連接第2半導體基板與第3半導體基板。

9.一種各向異性導電性膜，包含絕緣粘接劑層和配置在該絕緣粘接劑層的導電粒子，其中，導電粒子對應于以各向異性導電性膜連接的對置的貫通電極的配置而選擇性地配置在絕緣粘接劑層，

該導電粒子除了選擇性地配置于該對置的貫通電極之間的導電粒子（11）之外，還包括對該對置的貫通電極的連接無貢獻的導電粒子（11x）。

10.如權利要求9所述的各向異性導電性膜，其中，導電粒子為金屬包覆樹脂粒子。