[發(fā)明專利]電子調(diào)速器、以及可移動(dòng)平臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680004259.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107113998B | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張梁;劉煒剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K7/20 | 分類號(hào)： | H05K7/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 張成新 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子 調(diào)速器 以及 移動(dòng) 平臺(tái) | ||
1.一種電子調(diào)速器，其特征在于，包括：
殼體；
電路板，安裝在所述殼體內(nèi)，所述電路板包括上表面以及與所述上表面背對(duì)設(shè)置的下表面，所述上表面面對(duì)所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁設(shè)置，所述下表面面對(duì)所述殼體的另一個(gè)相對(duì)的內(nèi)壁設(shè)置；
其中，所述上表面設(shè)有多個(gè)第一MOS管，所述下表面設(shè)有多個(gè)第二MOS管；所述第一MOS管以及所述第二MOS管的頂面均嵌設(shè)有導(dǎo)熱金屬片；
所述第一MOS管的導(dǎo)熱金屬片通過第一導(dǎo)熱墊與所述殼體的其中一個(gè)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接；
所述第二MOS管的導(dǎo)熱金屬片通過第二導(dǎo)熱墊與所述殼體的另一個(gè)相對(duì)內(nèi)壁導(dǎo)熱連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述導(dǎo)熱金屬片直接封裝在所述第一MOS管以及所述第二MOS管內(nèi)，并所述導(dǎo)熱金屬片的頂面至少部分外露。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，多個(gè)所述第一MOS管與多個(gè)所述第二MOS管相對(duì)設(shè)置；
或者，多個(gè)所述第一MOS管與多個(gè)所述第二MOS管交錯(cuò)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述第一MOS管的數(shù)量大于等于6個(gè)；
或/及，所述第二MOS管的數(shù)量大于等于6個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，多個(gè)所述第一MOS管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布；
或/及，多個(gè)所述第二MOS管平行間隔設(shè)置，并且呈矩陣分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊為導(dǎo)熱膠層或?qū)嶂瑢印?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述導(dǎo)熱膠層為導(dǎo)熱硅膠層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述導(dǎo)熱脂層為導(dǎo)熱硅脂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述第一MOS管以及所述第二MOS管的寬度、長(zhǎng)度均小于4毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述第一MOS管以及所述第二MOS管的寬度、長(zhǎng)度均為3.3毫米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述電子調(diào)速器允許的最大工作電流大于等于30安培。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述電子調(diào)速器允許的最大工作電流為35～60安培。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述殼體為金屬殼。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述殼體為鋁殼。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，所述殼體的外表面對(duì)應(yīng)所述第一MOS管的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片；
或/及，所述殼體的外表面對(duì)應(yīng)所述第二MOS管的區(qū)域設(shè)有多個(gè)散熱鰭片。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子調(diào)速器，其特征在于，多個(gè)所述第一MOS管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊；
或/及，多個(gè)所述第二MOS管共用一個(gè)導(dǎo)熱墊。
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