[實(shí)用新型]一種IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201621492914.5
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN206332008U
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱月芹;宋永梁;張瀝文
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 王華英

1.一種IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

N阱區(qū)和P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)均位于所述襯底中，且所述N阱區(qū)位于所述P阱區(qū)的兩側(cè)并由所述襯底隔離；

多個(gè)有源區(qū)，位于所述N阱區(qū)及所述P阱區(qū)內(nèi)；

條狀柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵氧化層及多晶硅層，所述柵氧化層位于所述有源區(qū)表面，所述多晶硅層覆蓋于所述柵氧化層表面；

層間介質(zhì)層，覆蓋于所述多晶硅層表面；

第一金屬線層，形成于所述層間介質(zhì)層內(nèi)；

金屬層間介質(zhì)層，覆蓋于所述第一金屬線層表面；

第二金屬線層，形成于所述金屬層間介質(zhì)層內(nèi)；

第一金屬連線，連接所述第一金屬線層；

第二金屬連線，連接所述第二金屬線層；

第三金屬連線，位于所述第一金屬連線與所述第二金屬連線之間，且與所述第一金屬連線、所述第二金屬連線交錯(cuò)設(shè)置；

其中，所述第一金屬連線與所述第二金屬連線均為梳齒狀結(jié)構(gòu)，且投影相重疊；所述第三金屬連線為蛇形結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵氧化層為增加厚度的雙柵氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬連線、所述第二金屬連線和所述第三金屬連線下方的所述多晶硅層為填充的虛設(shè)多晶硅，所述虛設(shè)多晶硅位于所述條狀柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，且與所述第一金屬連線、所述第二金屬連線和所述第三金屬連線的位置錯(cuò)開。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬連線與所述第二金屬連線之間通過金屬插塞連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述有源區(qū)內(nèi)的源極區(qū)和漏極區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括隔離相鄰的所述有源區(qū)的淺溝槽隔離區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層間介質(zhì)層下方還包括氮化硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括依次形成于所述第二金屬線層上方的N個(gè)金屬線層，其中，N≥0；所述N個(gè)金屬線層中相鄰的所述金屬線層之間均填充有所述金屬層間介質(zhì)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括連接所述第一金屬線層的兩個(gè)測試焊盤，其中一個(gè)所述測試焊盤連接所述第一金屬連線和所述第二金屬連線，另一個(gè)所述測試焊盤連接所述第三金屬連線。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IMD可靠性測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為P型襯底或N型襯底。