[實用新型]分離設備有效
| 申請號: | 201621126944.4 | 申請日: | 2016-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN206134665U | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 陳孟端 | 申請(專利權)人: | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 張福根,馮志云 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分離 設備 | ||
技術領域
本實用新型關于一種分離設備,尤指一種用于劈裂工藝的分離設備。
背景技術
現有半導體工藝中,晶圓于制造完成后,會進行薄化工藝、切單工藝、封裝工藝等,其中,切單工藝的方式繁多,例如、雷射切割、機械切割、劈裂分離等。
如圖1A及圖1B所示,現有劈裂式分離設備1包括:一機臺本體(圖略)、一設于該機臺本體下側的基座10、一設于該機臺本體下側的吸引源14與吸引通道141、一設于該機臺本體上側的劈裂裝置12、以及一設于該基座10上的貼膜13。
于進行劈裂作業時,先將一具有多個預切割道80的晶圓8黏貼于該貼膜13上,并利用吸引源14(例如真空泵)對該吸引通道141抽氣,以使該貼膜13通過該吸引通道141而固定于該基座10上,再將該劈裂裝置12的劈刀120對位于其中一預切割道80上,并利用該劈裂裝置12的震動件121撞擊該劈刀120,使該劈刀120碰觸該晶圓8對應該預切割道80的背面位置A,以令該晶圓8沿該預切割道80裂開(如裂痕S)。之后重復上述該劈裂裝置12的劈裂步驟,以于該晶圓8背面的直向與橫向上劈裂各該預切割道80,使該晶圓8分離成多個晶粒8a。
然而,現有分離設備1中,該吸引源14與該吸引通道141的機構繁雜,因而需占用該機臺本體許多空間以作布設,致使該機臺本體的體積過于龐大。
此外,該吸引通道141的管線于多次使用后會產生漏氣問題,致使該吸引源14的吸附力下降,因而于進行劈裂作業時,該貼膜13會產生晃動,導致劈裂良率不佳。若更換新的吸引通道141的管線,需大幅拆解該機臺本體,致使更換組件的成本極高。
因此,如何克服現有技術的種種問題,實為一重要課題。
實用新型內容
為解決上述現有技術的問題,本實用新型遂公開一種分離設備,能減少該分離設備的體積,借以有效提升使用便利性及降低切單工藝的成本。
本實用新型的分離設備包括:基座;磁性件,其位于該基座外;承載件,其設于該基座上方以承載物件;以及作用裝置,其位于該承載件上方,以作用該物件,且于該作用裝置作用承載于該承載件上的該物件前,令該承載件為該磁性件所吸附。
前述的分離設備中,該磁性件的位置高度低于該基座的位置高度。
前述的分離設備中,該承載件為黏性片體。
前述的分離設備中,該承載件具有金屬體,以供該磁性件吸附該金屬體。例如,該金屬體為環狀,且該金屬體位于該承載件的邊緣。
前述的分離設備中,該作用裝置為物理供力裝置。
由上可知,本實用新型的分離設備中,主要通過具有磁場的金屬體,以磁吸設有磁性物質的承載件,使該承載件能通過磁場磁吸于該承載件上,故相較于現有技術,本實用新型的分離設備無需設置吸引源或吸引通道,而能減少該分離設備的體積,借以有效提升使用便利性及降低切單工藝的成本。
附圖說明
圖1A為現有分離設備的剖面示意圖;
圖1B為圖1A的局部放大示意圖;
圖2A為本實用新型的分離設備的側視示意圖;
圖2B為本實用新型的分離設備于作動時的側視示意圖;以及
圖2C為本實用新型的分離設備的上視平面示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
1、2分離設備
10、20基座
12 劈裂裝置
120劈刀
121震動件
13 貼膜
14 吸引源
141吸引通道
21 金屬體
210開口
22 作用裝置
23 承載件
23a邊緣
24 磁性件
8晶圓
8a 晶粒
80 預切割道
9物件
A背面位置
S裂痕
D徑長
W寬度
t、h位置高度。
具體實施方式
以下通過特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容輕易地了解本實用新型的其他優點及功效。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于正恩科技有限公司,未經正恩科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201621126944.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





