[實(shí)用新型]片式復(fù)合元器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621105456.5
• 申請(qǐng)日: 2016-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN206312768U
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸亨;李江竹;聶琳琳;李鴻剛;楊曉東;卓金麗;曾雨;梁欽華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G17/00
• 分類號(hào): H01G17/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

1.一種片式復(fù)合元器件，其特征在于，包括：

陶瓷體，所述陶瓷體包括：

第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層具有相對(duì)的第一表面及第二表面，所述第一表面包括相對(duì)的第一側(cè)邊及第二側(cè)邊，所述第二表面包括相對(duì)的第三側(cè)邊及第四側(cè)邊，所述第一側(cè)邊與所述第三側(cè)邊位于所述第一介質(zhì)層的同一端；

第一電極層，形成于所述第一介質(zhì)層的第一表面，所述第一電極層自所述第一側(cè)邊向所述第二側(cè)邊延伸；

第二電極層，形成于所述第一介質(zhì)層的第二表面，所述第二電極層自所述第三側(cè)邊向所述第四側(cè)邊延伸；

第二介質(zhì)層，層疊于所述第二電極層的表面且完全覆蓋所述第二表面；

第三電極層，形成于所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)表面，所述第三電極層在所述第二電極層的正投影完全落入所述第二電極層，

電阻，附著在所述陶瓷體的一側(cè)，所述電阻與所述第一電極層及所述第二電極層電連接且與所述第三電極層絕緣。

2.如權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第二電極層覆蓋所述第二表面的部分區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第一電極層在所述第二表面的正投影與所述第二電極層完全重合。

4.如權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)表面包括相對(duì)的第五側(cè)邊及第六側(cè)邊，所述第五側(cè)邊與所述第三側(cè)邊位于所述第一介質(zhì)層的同一端，所述第三電極層與所述第五側(cè)邊及所述第六側(cè)邊之間設(shè)有預(yù)定間隙。

5.如權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第二電極層與所述第二表面的另外兩條側(cè)邊之間形成有寬度為0～0.5mm的間隙。

6.如權(quán)利要求4所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第三電極層與所述第五側(cè)邊及所述第六側(cè)邊之間的間隙寬度為0.2mm～0.5mm。

7.如權(quán)利要求2所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第三電極層與所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一側(cè)表面的另外兩條側(cè)邊之間形成寬度為0mm～0.5mm的間隙。

8.如權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第二表面為正方形，所述第二電極層為十字形，所述第二表面的四個(gè)角未被所述第二電極層覆蓋。

9.如權(quán)利要求8所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第二表面的四個(gè)角未被所述第二電極層覆蓋的區(qū)域?yàn)榭瞻讌^(qū)域，所述空白區(qū)域的寬度為0mm～0.5mm。

10.如權(quán)利要求8所述的片式復(fù)合元器件，其特征在于，所述第三電極層在所述第二電極層上的正投影為正方形。