[實用新型]防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置

有效

• 申請號: 201621100550.1
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN206209288U
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李會麗;李喆;李志丹
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。

背景技術

光罩(或掩模)已經普遍應用于半導體制造的曝光裝置中，曝光裝置通常包括以下兩種：使用透鏡將光罩的圖案投影到基板上的投影式曝光裝置和在掩模與基板之間設置微小縫隙而將光罩的圖案轉印到基板的接近式曝光裝置。然而，生產過程中的揮發物和微塵容易致使光罩受到污染，尤其是曝光過程中所使用的光阻由于其極易揮發而污染光罩，從而導致產品會有微觀缺陷或宏觀色差，嚴重影響良率。

曝光裝置的光罩污染是一直以來困擾業界的一個問題，尤其是對于接近式曝光裝置，由于接近式曝光裝置的光罩和載臺上產品的間隙較小，一般在300um以下，更容易受到揮發物和微塵污染。現有的解決方案通常是在光罩污染后進行檢查并采用光罩清洗劑或氣體洗滌的方式來清潔光罩，目前市場上在售或者相關文獻提及的曝光設備中，沒有在線防止光罩污染的裝置。而且，在生產過程中，處理光罩污染引起的停機時間會極大地影響產能，并且光罩污染后的檢查、清潔和修補成本也很高。

因此，需要提供一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。

需要說明的是，公開于該實用新型背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本實用新型的一般背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型提供一種防止曝光光罩污 染的裝置及曝光裝置，能夠在線阻隔污染，大幅度降低光罩污染幾率，從而減少光罩清洗頻度并提高產能。

為了達到上述目的，在本申請的一個方面，提供一種防止曝光光罩污染的裝置，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：

氣體供給模塊，設置在曝光光罩下方并且包括上層出風口和下層出風口，所述上層出風口和下層出風口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕，所述下層壓縮空氣流產生的剪切力帶走大部分揮發物，所述上層等離子氣流與進人其中的剩余的揮發物發生化學反應以將所述剩余的揮發物轉變成非污染的小分子物質；

氣體回收模塊，與所述氣體供給模塊相對地設置，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發物和非污染的小分子物質。

在一些實施例中，所述上層出氣口和下層出氣口是能夠按需改變孔徑的可調式出風口。

在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括氣流檢測單元、氣流調控單元和控制單元，所述氣流檢測單元和氣流調控單元均連接至所述控制單元，所述氣流檢測單元檢測所述等離子氣流的流速和壓縮空氣流的流速并將檢測到的流速發送給所述控制單元，所述氣流調控單元在所述控制單元的控制下改變所述可調式出風口的孔徑以調節所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。

在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括用于檢測揮發物的濃度的揮發物濃度檢測單元，所述揮發物濃度檢測單元連接至所述控制單元，所述控制單元根據檢測到的揮發物的濃度來設定所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。

在一些實施例中，所述氣體供給模塊包括供氣模塊和氣刀，所述供氣模塊用于向所述氣刀提供等離子氣體和壓縮空氣，所述上層出風口和下層出風口設置在所述氣刀上。

在一些實施例中，所述上層出氣口和下層出氣口各包括一排出氣孔，每排出氣孔沿所述氣刀的寬度方向均勻排列。

在一些實施例中，每個出氣孔上安裝有噴嘴。

在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括支架，所述支架用于將所述氣刀固定在曝光光罩的下方。

在一些實施例中，所述氣刀的寬度大于或等于曝光場的尺寸。

在一些實施例中，所述支架上設置有導軌，所述導軌在控制單元的控制下調節所述氣刀的位置。

在本申請的又一方面，還提供一種曝光裝置，所述曝光裝置包括前述一個方面中所述的防止曝光光罩污染的裝置。

在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置安裝在所述曝光裝置的光罩的下方。

在一些實施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置與所述曝光裝置集成。