[實用新型]一種氮化鎵基發光二極管的外延片

有效

• 申請號: 201620807929.X
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN206364045U
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 李紅麗;萬林;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/14;H01L23/60
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 徐立

技術領域

本實用新型涉及光電子制造技術領域，特別涉及一種氮化鎵基發光二極管的外延片。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)具有體積小、壽命長、功耗低等優點，目前被廣泛應用于汽車信號燈、交通信號燈、顯示屏以及照明設備。

在發光二極管的外延片的生長過程中，常常會由于晶格失配而出現應力，導致晶體質量變差，抗靜電性下降，發光效率降低。為了提高外延片的抗靜電性和發光效率，通常會在生長有源層之前生長一層InGaN淺量子阱，以釋放應力。

但是InGaN淺量子阱只能減小與有源層之間的晶格失配，不能釋放生長InGaN淺量子阱之前形成的應力，對外延片的抗靜電性和發光效率的提高十分有限。

實用新型內容

為了進一步提高外延片的抗靜電性和發光效率，本實用新型實施例提供了一種氮化鎵基發光二極管的外延片。所述技術方案如下：

本實用新型實施例提供了一種氮化鎵基發光二極管的外延片，所述外延片包括依次層疊的襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型接觸層、有源層、P型電子阻擋層和P型接觸層，所述外延片還包括夾設在所述N型接觸層和所述有源層之間的應力釋放層，所述應力釋放層包括依次層疊在所述N型接觸層上的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為N型摻雜的第一GaN層，所述第二子層包括交替層疊的In_xGa_1-xN層和N型摻雜的第二GaN層，所述第三子層包括N型摻雜的第三GaN層、或者包括交替層疊的非摻雜的第四GaN層和N型摻雜的第五GaN層、或者包括多層N型摻雜的第六GaN層，相鄰兩層所述第六GaN層的摻雜濃度不同。

優選地，所述第三GaN層的摻雜濃度保持不變、先降低再升高、或者先升高再降低。

進一步地，所述第二GaN層的摻雜濃度在所述應力釋放層中最高或最低。

可選地，所述第三子層的厚度在所述應力釋放層中最大。

優選地，所述第三子層的厚度為500～1400nm。

可選地，所述In_xGa_1-xN層和所述第二GaN層交替層疊的周期數為2～10。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：通過在N型接觸層和有源層之間設置包括第一子層、第二子層、第三子層的應力釋放層，第二子層為包括交替層疊的In_xGa_1-xN層和N型摻雜的第二GaN層的超晶格結構，可以有效釋放底層由于晶格失配形成的應力，減小壓電極化效應，增加電子和空穴的復合機率，提高外延片的抗靜電性能和發光效率。且第一子層、第二子層、第三子層中均為N型摻雜，有利于電流的擴展，減小了應力釋放層兩側的電阻，增大了應力釋放層兩側的電容，可以將更多的電子蓄積起來，起到了更好地電子阻擋作用，減少了漏電通道，進一步提高抗靜電能力。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例提供的一種氮化鎵基發光二極管的外延片的結構圖；

圖2是本實用新型實施例提供的一種應力釋放層的結構圖；

圖3是本實用新型實施例提供的一種第三子層的結構圖；

圖4是本實用新型實施例提供的另一種第三子層的結構圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。