[發明專利]一種可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器及應用

在審

• 申請號: 201610028127.3
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105679363A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 趙婕;程抱昌
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器，其特征是包括絕緣襯底（101）、單根鉀元素和氯元素共摻雜的ZnO一維微/納米線（102）、電極一（103）、電極二（104）、導線一（105）、導線二（106）、封裝材料（107）。單根鉀元素和氯元素共摻雜的ZnO一維微/納米線（102）放置在絕緣襯底（101）上，單根鉀元素和氯元素共摻雜的ZnO一維微/納米線（102）兩端分別焊接電極一（103）和電極二（104），兩端電極分別連接導線一（105）和導線二（106）；封裝材料（107）將整個單根鉀元素和氯元素共摻雜的ZnO一維微/納米線（102）、電極一（103）和電極二（104）封裝在絕緣襯底（101）上。

2.根據權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器，其特征是所述的單根鉀元素和氯元素共摻雜的ZnO一維微/納米線為ZnO晶格中含有鉀元素和氯元素雜質缺陷的一維微/納米線。

3.根據權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器，其特征是所述絕緣基底為氧化鋁陶瓷基底、氮化鋁陶瓷基底或氮化硅陶瓷基底。

4.根據權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器，其特征是所述的金屬電極為鋁、銀或鉑。

5.根據權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器，其特征是所述的封裝材料為環氧樹脂、氨基甲酸乙酯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

6.權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器的信息寫入方法，其特是征將所述的存儲器置于30-300^○C以內任一溫度。

7.權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器的信息存儲方法，其特征是將所述的存儲器置于30-300^○C以內任一溫度，然后放置室溫環境中。

8.權利要求1所述的可存儲溫度信號的非易失性多比特微/納米記憶存儲器的信息擦除方法，其特征是將所述的存儲器置于30-300^○C以內任一溫度，然后放置室溫環境中，再對所述的存儲器施加10V的直流電壓。