[實(shí)用新型]一種氮化鎵基大功率芯片散熱結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620504251.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-05-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN205789931U | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張自鋒;余建立 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 巢湖學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/367 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 合肥天明專(zhuān)利事務(wù)所34115 | 代理人： | 金凱 |
| 地址： | 238000*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氮化 大功率 芯片 散熱 結(jié)構(gòu) | ||
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