[實用新型]一種逆導型IGBT背面結構有效
| 申請號: | 201620356265.X | 申請日: | 2016-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN205595336U | 公開(公告)日: | 2016-09-21 |
| 發明(設計)人: | 李曉平;潘艷;溫家良;金銳;劉江;趙哿;高明超;王耀華;李立 | 申請(專利權)人: | 全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網上海市電力公司 |
| 主分類號: | H01L29/739 | 分類號: | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司: | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 102209 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 逆導型 igbt 背面 結構 | ||
【說明書】:
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網上海市電力公司,未經全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網上海市電力公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620356265.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高靈敏晶體閘流管
- 下一篇:一種內嵌PMOS觸發的用于靜電防護的可控硅
- 同類專利
- 專利分類





