[實(shí)用新型]集成電路封裝件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620071107.X | 申請(qǐng)日: | 2016-01-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN205355034U | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪虞;王政堯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L23/52 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù),特別涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域中的集成電路封裝件。
背景技術(shù)
通常,集成電路封裝件所封裝的集成電路元件,如裸片等都設(shè)置在封裝基板或?qū)Ь€框架條等承載元件的一側(cè),而承載元件的另一側(cè)則集中提供輸入/輸出(I/O)引腳。即,這些集成電路封裝件采用的是單面封裝的方式。依照這種傳統(tǒng)的封裝方式,隨著所要封裝的集成電路元件數(shù)量越來(lái)越多,該集成電路封裝件的體積也相應(yīng)增大。雖然可提供選擇采用肩并肩或堆疊方式在集成電路封裝件的平面尺寸或高度上取得折中或期待材料等相關(guān)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,然面對(duì)市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品尺寸日益嚴(yán)苛的要求,如何在現(xiàn)有的技術(shù)條件下盡可能降低集成電路封裝件的尺寸是業(yè)界一直關(guān)切的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的之一在于提供一集成電路封裝件,其可充分利用現(xiàn)有的封裝條件而進(jìn)一步降低集成電路封裝件的尺寸。
根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例,一集成電路封裝件包含:承載元件,其選自封裝基板與導(dǎo)線框架中一者,該承載元件具有相對(duì)的第一承載面及第二承載面;至少一第一集成電路元件,設(shè)置于該承載元件的第一承載面;第一注塑殼體,設(shè)置于該承載元件的第一承載面且塑封該第一集成電路元件;至少一第二集成電路元件,設(shè)置于該承載元件的第二承載面;若干導(dǎo)通柱,設(shè)置于該承載元件的第二承載面且經(jīng)配置以與該第一集成電路元件及該第二集成電路元件電連接;及第二注塑殼體,設(shè)置于該承載元件的第二承載面且塑封該第二集成電路元件與該若干導(dǎo)通柱,其中該導(dǎo)通柱遠(yuǎn)離該第二承載面的底部暴露于該第二注塑殼體外。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中,所暴露的該導(dǎo)通柱的底部是經(jīng)電鍍或化學(xué)鍍金處理。集成電路封裝件進(jìn)一步包含濺鍍于其外表面的信號(hào)屏蔽層。該導(dǎo)通柱的最小平面尺寸為250um*250um,最小高度為170um。集成電路封裝件的厚度可小于1mm,甚至控制為小于等于0.8mm。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的集成電路封裝件,可在承載元件的兩面均設(shè)置封裝結(jié)構(gòu),從而在實(shí)現(xiàn)功能多樣的復(fù)雜集成電路封裝件時(shí)亦可有效的控制產(chǎn)品的尺寸,滿足電子產(chǎn)品日趨功能強(qiáng)大而尺寸縮小的需求。
附圖說(shuō)明
圖1所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝件的剖面?zhèn)纫晥D
圖2a-e所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的制造一集成電路封裝件的方法的主要步驟流程示意圖,各圖示出了相應(yīng)步驟得到的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的剖面?zhèn)纫晥D
圖3a-e所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的制造集成電路封裝件的方法中進(jìn)行分區(qū)作業(yè)的流程示意圖
具體實(shí)施方式
為更好的理解本實(shí)用新型的精神,以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對(duì)其作進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝件10的剖面?zhèn)纫晥D。與現(xiàn)有的單面封裝技術(shù)不同,本實(shí)用新型采用的是雙面封裝技術(shù)。
具體的,如圖1所示,該集成電路封裝件10包含一承載待封裝元件的承載元件12,其具有相對(duì)的第一承載面120及第二承載面122。該承載元件12可選自封裝基板與導(dǎo)線框架中一者,本實(shí)施例中采用的是封裝基板。
該集成電路封裝件10進(jìn)一步包含至少一第一集成電路元件14、至少一第二集成電路元件16,及若干導(dǎo)通柱18。第一集成電路元件14與第二集成電路元件16等封裝元件的具體類型和數(shù)目可視產(chǎn)品需求決定,如在本實(shí)施例中,第一集成電路元件14為兩個(gè),而第二集成電路元件16僅一個(gè)。該第一集成電路元件14可以慣常的封裝方式設(shè)置于該承載元件12的第一承載面120,并由設(shè)置于該承載元件12的第一承載面120的第一注塑殼體13塑封。類似的,該第二集成電路元件16可以慣常的封裝方式設(shè)置于該承載元件12的第二承載面122,并由設(shè)置于該承載元件12的第二承載面120的第二注塑殼體15塑封。對(duì)于一些高頻率工作或易受電磁干擾的該集成電路封裝件10,還可在該集成電路封裝件10的外表面,包含第一注塑殼體13外表面、第二注塑殼體15外表面及承載元件12外側(cè)面等上濺鍍一屏蔽層17以進(jìn)一步提高抗電磁干擾能力。若干導(dǎo)通柱18,可采用常見(jiàn)的銅柱設(shè)置于該承載元件12的第二承載面122且經(jīng)配置以與該第一集成電路元件14及該第二集成電路元件16電連接。具體的,該承載元件12上設(shè)有若干電連接結(jié)構(gòu)(未示出),如跡線(trace)或?qū)?via)等可提供第一集成電路14于第一承載面120上的引腳及第二集成電路16于第二承載面122上的引腳至相應(yīng)導(dǎo)通柱18的電連接。該導(dǎo)通柱18遠(yuǎn)離第二承載面122的底部180暴露于第二注塑殼體15外,并經(jīng)電鍍或化學(xué)鍍金處理以達(dá)到抗氧化的作用。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620071107.X/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





