[發明專利]主動陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201611270692.7
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106653688B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本發明公開一種主動陣列基板的制造方法，包括：提供基板；形成柵極于基板上；依序形成柵極絕緣層、半導體層及歐姆接觸層于所述透明基材及所述柵極上；形成源電極及漏電極于所述歐姆接觸層上；形成保護層于所述源電極及所述漏電極上；以及形成像素電極層于所述保護層上，其中所述像素電極層是電性連接于所述漏電極；其中，所述柵極絕緣層包括納米多孔硅及納米顆粒，所述納米顆粒的介電常數大于硅層的介電常數。本發明可實現柵極絕緣層的介電常數可調。

技術領域

本發明涉及主動陣列基板的制造方法，更具體的說，涉及一種顯示面板的主動陣列基板的制造方法。

背景技術

薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、優異的畫面品質以及較高的生產良率等性能，目前已經逐漸占據了顯示領域的主導地位。同樣，薄膜晶體管顯示器包含顯示面板和背光模組，顯示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也稱彩色濾光片基板)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(Liquid Crystal，LC)。顯示面板是通過電場對液晶分子取向的控制，改變光的偏振狀態，并藉由偏光板實現光路的穿透與阻擋，實現顯示的目的。

由于集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小，器件的封裝密度不停的增大，因此對材料各方面性能的要求不斷的提高。由于器件的比例縮小，目前器件的柵氧絕緣層厚度變得非常薄，對于比例小的器件而言，柵氧絕緣層厚度只會越來越薄，這需要有新的高K的柵氧絕緣介電材料。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種柵極絕緣層的介電常數大的主動陣列基板的制造方法。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種主動陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

形成柵極于基板上；

依序形成柵極絕緣層、半導體層及歐姆接觸層于所述透明基材及所述柵極上；

形成源電極及漏電極于所述歐姆接觸層上；

形成保護層于所述源電極及所述漏電極上；以及

形成像素電極層于所述保護層上，其中所述像素電極層是電性連接于所述漏電極；

其中，所述柵極絕緣層包括納米多孔硅及納米顆粒，所述納米顆粒的介電常數大于硅層的介電常數。

在一些實施例中，所述柵極絕緣層包括堆疊的第一絕緣層及第二絕緣層，所述納米多孔硅及所述納米顆粒是形成于所述第二絕緣層中。

在一些實施例中，納米顆粒包括二種以上不同介電常數的納米顆粒。

納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性。

鍺的介電常數為16，通過調節鍺的比例提高柵極絕緣層的介電常數，當然也可以采用其他介電常數高的金屬和其他材料。

納米多孔硅可以做的非常薄，可以減小絕緣介電層的厚度，可以滿足集成電路、芯片以及TFT-LCD的尺寸不斷的減小的需求，納米多孔硅本身具有疏水性，鍺的介電常數為16，納米多孔硅本身具有很多硅孔，鍺納米顆粒可以存入硅孔內，不會增加通過納米多孔硅的厚度，通過調節鍺納米顆粒Ge的負載量實現介電系數可控調節。