[發明專利]一種溝槽肖特基半導體裝置在審
| 申請號： | 201611269439.X | 申請日： | 2016-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN108269848A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 113200 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體裝置 肖特基 反向阻斷 漂移層 半導體材料 底部絕緣層 表面電勢 導通電阻 輕摻雜區 終端結構 電場 引入 元胞 耗盡 | ||
1.一種溝槽肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為第一導電半導體材料構成，為高濃度雜質摻雜；
第一漂移層，為第一導電半導體材料構成，位于襯底層之上；
第二漂移層，為第二導電半導體材料構成，位于第一漂移層之上；
多個溝槽，位于第二漂移層表面，溝槽底部位于第一漂移層或者第二漂移層中，溝槽內壁設置絕緣材料層，溝槽內設置導電材料，為多晶硅、無定形硅或金屬；
溝槽側壁第一導電半導體材料，臨靠溝槽側壁和漂移層上表面，底部臨靠第一漂移層，溝槽側壁第一導電半導體材料之間為第二漂移層半導體材料；
肖特基勢壘結，位于溝槽側壁第一導電半導體材料上表面；
第二漂移層上表面接觸為肖特基勢壘結或歐姆接觸；
電極金屬，位于半導體裝置上下表面，上表面電極金屬連接溝槽內導電材料、肖特基勢壘結和第二漂移層上表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽側壁第一導電半導體材料，在垂直于溝槽側壁方向上設置變化的摻雜濃度，在遠離溝槽側壁方向上逐漸變低或者先變高再變低，其中先變高再變低的峰值摻雜濃度區域臨近溝槽側壁。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽側壁第一導電半導體材料峰值摻雜濃度大于第二漂移層半導體材料摻雜濃度。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：終端結構為終端溝槽結構，溝槽底部位于襯底層中，溝槽內填充絕緣材料，終端溝槽臨靠第二漂移層半導體材料、溝槽側壁第一導電半導體材料或者半導體裝置元胞溝槽。
5.一種溝槽肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為第一導電半導體材料構成，為高濃度雜質摻雜；
第一漂移層，為第一導電半導體材料構成，位于襯底層之上；
第二漂移層，為第二導電半導體材料構成，位于第一漂移層之上；
第三漂移層，為第一導電半導體材料構成，位于第二漂移層之上；
多個溝槽，位于第三漂移層表面，溝槽底部位于第一漂移層或者第二漂移層中，溝槽內壁設置絕緣材料層，溝槽內設置導電材料，為多晶硅、無定形硅或金屬；
溝槽側壁第一導電半導體材料，臨靠溝槽側壁和漂移層上表面，底部臨靠第一漂移層，溝槽側壁第一導電半導體材料之間為第二漂移層和第三漂移層半導體材料；
肖特基勢壘結，位于第三漂移層和溝槽側壁第一導電半導體材料上表面；
電極金屬，位于半導體裝置上下表面，上表面電極金屬連接溝槽內導電材料和肖特基勢壘結。
6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽側壁第一導電半導體材料，在垂直于溝槽側壁方向上設置變化的摻雜濃度，在遠離溝槽側壁方向上逐漸變低或者先變高在變低，其中先變高再變低的峰值摻雜濃度區域臨近溝槽側壁。
7.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽側壁第一導電半導體材料峰值摻雜濃度大于第二漂移層半導體材料摻雜濃度。
8.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：終端結構為終端溝槽結構，溝槽底部位于襯底層中，溝槽內填充絕緣材料，終端溝槽臨靠第二漂移層半導體材料、溝槽側壁第一導電半導體材料或者半導體裝置元胞溝槽。
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