[發(fā)明專利]單元陣體區(qū)域易于紫外線透光的版圖布線方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611265951.7
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106601747A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 魏方圓;任軍;盛榮華
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥恒爍半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/02;H01L23/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種版圖布線方法，特別是涉及一種單元陣體區(qū)域易于紫外線透光的版圖布線方法。

背景技術(shù)

大容量閃存芯片單元陣體區(qū)域采用三層金屬線布線的情況下，出于面積和負載考慮要用寬Metal走線，同時為了滿足單元襯底電位的均一性也要采用寬Metal布線。在單元面積尺寸不斷縮小的情況下會造成第三金屬線幾乎布滿陣體區(qū)域的問題，后續(xù)進行紫外線光照的狀態(tài)下增加了擦除的難度，且會導致出現(xiàn)無法擦除干凈的情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種單元陣體區(qū)域易于紫外線透光的版圖布線方法，其在同時滿足大容量閃存芯片底層布線和襯底電位線寬的基礎上優(yōu)化布線，易于紫外線光照穿透第三金屬線區(qū)域，實現(xiàn)單元擦除動作。

本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：一種單元陣體區(qū)域易于紫外線透光的版圖布線方法，其包括下列步驟：

步驟一，在單元陣體區(qū)域內(nèi)排布底層走線和襯底電位走線且底層走線和襯底電位走線均排布在第三金屬線上；

步驟二，對第三金屬線進行分割，根據(jù)實際單元寬度確定線寬；

步驟三，移動第三金屬線并使得第三金屬線占據(jù)兩個單元寬度；

步驟四，調(diào)節(jié)第三金屬線與臨近單元的距離，使得第三金屬線覆蓋的單元與第三金屬線臨近單元到第三金屬線的距離相等。

優(yōu)選地，所述底層走線位于襯底電位走線上方。

優(yōu)選地，所述第三金屬線采用寬金屬線布線方式。

優(yōu)選地，所述對第三金屬線進行分割，確保實際單元寬度與線寬相等。

本發(fā)明的積極進步效果在于：本發(fā)明在同時滿足大容量閃存芯片底層布線和襯底電位線寬的基礎上優(yōu)化布線，易于紫外線光照穿透第三金屬線區(qū)域，實現(xiàn)單元擦除動作。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。

本發(fā)明單元陣體區(qū)域易于紫外線透光的版圖布線方法包括下列步驟：

步驟一，在單元陣體區(qū)域內(nèi)排布底層走線和襯底電位走線且底層走線和襯底電位走線均排布在第三金屬線上；

步驟二，對第三金屬線進行分割，根據(jù)實際單元寬度確定線寬；

步驟三，移動第三金屬線并使得第三金屬線占據(jù)兩個單元寬度；

步驟四，調(diào)節(jié)第三金屬線與臨近單元的距離，使得第三金屬線覆蓋的單元與第三金屬線臨近單元到第三金屬線的距離相等。

底層走線位于襯底電位走線上方。

第三金屬線采用寬金屬線布線方式。

對第三金屬線進行分割，確保實際單元寬度與線寬相等。

相比傳統(tǒng)閃存單元陣體第一金屬線走逐線積分布線、第三金屬線走底層布線的布線方式，本發(fā)明中底層走線和襯底電位走線均排布在第三金屬線上，為減小閃存單元陣體面積，移動第三金屬線并使得第三金屬線占據(jù)兩個單元寬度，滿足單元襯底電位的均一性，解決單元面積尺寸不斷縮小的情況下第三金屬線幾乎布滿陣體區(qū)域的問題，調(diào)節(jié)第三金屬線與臨近單元的距離，使得第三金屬線覆蓋的單元與第三金屬線臨近單元到第三金屬線的距離相等，避免單元面積尺寸縮小的情況產(chǎn)生，后續(xù)紫外線光照的狀態(tài)下擦除難度降低，消除無法擦除干凈的情況。

綜上所述，本發(fā)明在同時滿足大容量閃存芯片底層布線和襯底電位線寬的基礎上優(yōu)化布線，易于紫外線光照穿透第三金屬線區(qū)域，實現(xiàn)單元擦除動作。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。