[發(fā)明專利]鋁合金殼體及其制備方法和個人電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611265160.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108265323B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 廖重重;王鈺;陳梁
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: C25D11/12
• 分類號: C25D11/12;C25D11/08;C25D11/18;H04M1/18
• 代理公司: 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11447
• 代理人: 耿超;王浩然

1.一種鋁合金殼體，該鋁合金殼體包括鋁合金基體(1)和覆蓋在所述鋁合金基體(1)表面的氧化膜層(2)；其特征在于，所述鋁合金基體(1)上具有狹縫(3)，所述狹縫(3)在所述鋁合金基體(1)的外側表面和內(nèi)側表面上分別開設有外側開口(4)和內(nèi)側開口(5)，所述氧化膜層(2)將所述狹縫的外側開口(4)封閉；所述氧化膜層(2)包括內(nèi)層陽極氧化膜層(21)以及外層陽極氧化膜層(22)；所述內(nèi)層陽極氧化膜層(21)具有內(nèi)層陽極氧化膜層納米孔，所述內(nèi)層陽極氧化膜層納米孔的孔徑為10-50nm；所述外層陽極氧化膜層(22)具有外層陽極氧化膜層納米孔，所述外層陽極氧化膜層納米孔的孔徑為30-100nm；所述內(nèi)層陽極氧化膜層納米孔的密度為200-550個/平方微米，所述外層陽極氧化膜層納米孔的密度為550-900個/平方微米，所述內(nèi)層陽極氧化膜層納米孔的孔徑小于所述外層陽極氧化膜層納米孔的孔徑；所述內(nèi)層陽極氧化膜層納米孔和外層陽極氧化膜層納米孔內(nèi)各自獨立地填充有染色染料。

2.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述染色染料為有機染料。

3.根據(jù)權利要求2所述的鋁合金殼體，其中，所述有機染料包括奧野420染料、415染料和419染料中的至少一種。

4.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述氧化膜層(2)的顏色深度L值為0-30，顏色│A│值為0-2，顏色│B│值為0-2，染色深度大于23μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述氧化膜層(2)的表面硬度為320HV_0.1-500HV_0.1。

6.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述內(nèi)層陽極氧化膜層(21)的厚度為1-60μm；所述外層陽極氧化膜層(22)的厚度為1-60μm。

7.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)的寬度為0.5-10mm，所述狹縫(3)的數(shù)量為1-10個。

8.根據(jù)權利要求1或7所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)將所述鋁合金基體(1)分隔為彼此絕緣的至少兩塊。

9.根據(jù)權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)里填充有絕緣體。

10.一種制備鋁合金殼體的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

a、將鋁合金基體進行陽極氧化處理，得到覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體，其中，所述陽極氧化處理包括第一陽極氧化處理和第二陽極氧化處理；所述第一陽極氧化處理使得鋁合金基體形成含有孔徑為30-100nm的納米孔的外層陽極氧化膜層；所述第二陽極氧化處理使得鋁合金基體形成含有孔徑為10-50nm的納米孔的內(nèi)層陽極氧化膜層；所述內(nèi)層陽極氧化膜層的納米孔的密度為200-550個/平方微米，所述外層陽極氧化膜層的納米孔的密度為550-900個/平方微米；

b、將所述覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體中的鋁合金基體部分進行部分去除以形成狹縫，所述狹縫在所述鋁合金基體的外側表面和內(nèi)側表面上分別開設有外側開口和內(nèi)側開口，所述氧化膜層將所述狹縫的外側開口封閉；

該方法還包括，將步驟a中得到的所述覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體進行染色處理，然后再進行步驟b的操作。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述第一陽極氧化處理包括將所述鋁合金基體與含有硫酸的第一水溶液接觸，以1000重量份的第一水溶液為基準，硫酸的含量為110-360重量份；所述第二陽極氧化處理包括將所述鋁合金基體與含有硫酸和草酸的第二水溶液接觸，以1000重量份的所述第二水溶液為基準，硫酸的含量為90-260重量份，草酸的含量為4-25重量份。