[發明專利]一種寬帶彎曲不敏感多模光纖

有效

• 申請號: 201611263252.9
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106842419B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 蔣新力;范艷層;李文濤;沈一春
• 申請（專利權）人: 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/028
• 分類號: G02B6/028
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 謝志為

1.一種多模光纖，包括從內到外依次設置的芯層、下陷包層及外包層，所述芯層由漸變層和平臺層組成，所述多模光纖的徑向折射率n(r)可表示為：

其中Δ為相對折射率差，

r為所述多模光纖中某個點距離所述芯層中心軸的徑向距離，R₀、R₁、R₂、R₃分別為折射率漸變層半徑、芯層半徑、下陷包層半徑和外包層半徑，n₀為r＝0處的芯層折射率，n_b為R₀<r≤R₁處的漸變層邊界和平臺層折射率，n_t為R₁<r≤R₂處的下陷包層折射率，n_c為R₂<r≤R₃處的外包層折射率，α為漸變層折射率剖面分布參數，

其特征在于：所述芯層為GeO₂以及其它摻雜物質共摻的一種玻璃層，所述摻雜物的摩爾濃度隨半徑變化，并按如下函數分布：

所述M(r)為所述摻雜物在距離芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度，M₀為所述摻雜物在芯層中心的摩爾濃度，M_b為所述摻雜物在芯層邊界的摩爾濃度，β為所述摻雜物的濃度分布參數；

通過調節摻雜物及其摩爾濃度分布，實現800-1500nm范圍內多波長的最佳剖面折射率參數α_opt的差值Δα_opt的最小優化，得到所述多模光纖。

2.如權利要求1所述的多模光纖，其特征在于：所述摻雜物為F，所述F在所述芯層邊界的摩爾濃度范圍為1～6％，在所述芯層中心的摩爾濃度范圍為0～0.5％；所述多模光纖在850nm～950nm波長所能實現的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt范圍為0.018～0.026，在850nm～1300nm波長所能實現的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt范圍為0.062～0.097。

3.如權利要求2所述的多模光纖，其特征在于：所述F的濃度分布參數β_F取值范圍為1.5～7。

4.如權利要求3所述的多模光纖，其特征在于：所述F的濃度分布參數β_F取值范圍為3～5。

5.如權利要求1所述的多模光纖，其特征在于：所述摻雜物為P₂O₅，所述P₂O₅在所述芯層中心的摩爾濃度范圍為1～9％，在所述芯層邊界的摩爾濃度范圍為0～0.5％；所述多模光纖在850nm～950nm波長所能實現的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt范圍為0.003～0.024，在850nm～1300nm波長所能實現的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt范圍為0.000～0.090。

6.如權利要求5所述的多模光纖，其特征在于：所述P₂O₅的濃度分布參數β_p取值范圍為1～5。

7.如權利要求6所述的多模光纖，其特征在于：所述P₂O₅的濃度分布參數β_p取值范圍為1.5～3。