[發(fā)明專利]一種光伏組件層壓工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611260868.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108269882B | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范喜燕;張磊;楊峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)股份有限公司;常熟阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/048;B32B37/06;B32B37/10;B32B38/18 |
| 代理公司: | 蘇州攜智匯佳專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 于欣 |
| 地址: | 215011 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 組件 層壓 工藝 | ||
1.一種光伏組件層壓工藝,其特征在于,包括以下工藝流程:
①提供由玻璃、太陽(yáng)能電池串層、封裝膠膜、TPT層疊設(shè)置的光伏組件以及用來對(duì)所述光伏組件層壓的層壓機(jī),所述層壓機(jī)設(shè)有加熱板,所述光伏組件上方設(shè)定有一個(gè)自發(fā)熱板塊;
②在層壓機(jī)上設(shè)定層壓參數(shù),待所述加熱板和所述自發(fā)熱板塊溫度達(dá)到指定溫度后,將光伏組件放入層壓機(jī),并合蓋,其中,所述自發(fā)熱板塊的加熱溫度大于所述加熱板的加熱溫度;
③對(duì)光伏組件各層之間進(jìn)行抽真空操作,所述加熱板與所述自發(fā)熱板對(duì)所述光伏組件加熱,所述封裝膠膜受熱變成熔融狀態(tài)流動(dòng)充滿所述玻璃、太陽(yáng)能電池串層、TPT之間的間隙;
④接著對(duì)位于所述光伏組件與所述層壓機(jī)的上蓋之間的上室進(jìn)行加壓,將所述自發(fā)熱板塊下壓至所述光伏組件頂部,所述自發(fā)熱板塊對(duì)所述光伏組件加熱,同時(shí)所述加熱板對(duì)所述光伏組件進(jìn)行加熱;其中,所述自發(fā)熱板塊在所述步驟①、②、③中均不與所述光伏組件接觸,而在所述步驟④中,所述自發(fā)熱板塊在所述光伏組件內(nèi)的封裝膠膜充分融化后,被下壓至與所述光伏組件接觸;
⑤層壓好后,所述層壓機(jī)的下室充氣,上室抽真空,打開上蓋,將所述光伏組件取出,層壓完成。
2.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述自發(fā)熱板塊的加熱溫度范圍控制在130-160℃之間。
3.如權(quán)利要求2所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述加熱板的加熱溫度范圍控制在120-130℃之間。
4.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述自發(fā)熱板塊在所述步驟①、②、③中通過輻射加熱對(duì)所述光伏組件加熱。
5.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述自發(fā)熱板塊在所述步驟④中被下壓至與所述光伏組件接觸后通過輻射加熱和接觸熱傳導(dǎo)加熱同時(shí)對(duì)所述光伏組件加熱。
6.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述加熱板主要通過接觸熱傳導(dǎo)對(duì)所述光伏組件加熱。
7.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述封裝膠膜材質(zhì)為EVA、POE或PVB。
8.如權(quán)利要求1所述的光伏組件層壓工藝,其特征在于,所述自發(fā)熱板塊為自發(fā)熱硅膠板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)股份有限公司;常熟阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司,未經(jīng)阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)股份有限公司;常熟阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611260868.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





