[發(fā)明專利]一種二維片層材料增強的金屬基復(fù)合材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611249539.6 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN107058851B | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃慶;司曉陽;周小兵;都時禹 | 申請(專利權(quán))人: | 上海大學(xué);中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號: | C22C32/00 | 分類號: | C22C32/00;B22F3/10 |
| 代理公司: | 寧波元為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人: | 單英 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 二維 材料 增強 金屬 復(fù)合材料 | ||
本發(fā)明提供了一種二維片層材料增強的金屬基復(fù)合材料,該材料以金屬為基體,以二維過渡金屬碳化物或碳氮化物,即MXenes作為增強相,MXenes顆粒均勻分散在金屬基體顆粒中。由于Mxenes材料含有碳空位,偏金屬性,因此金屬基體有良好的潤濕性,能夠有效地改善金屬基復(fù)合材料的界面結(jié)合強度,從而增強了金屬基復(fù)合材料的力學(xué)及耐磨損等性能。同時,Mxenes材料與金屬基體界面的“電子耦合”效應(yīng)更好,能夠避免現(xiàn)有技術(shù)中增強相在提高金屬基復(fù)合材料力學(xué)性能和耐腐蝕性能的同時降低其導(dǎo)熱導(dǎo)電性的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及金屬基復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種二維片層材料Mxenes增強的金屬基復(fù)合材料。
背景技術(shù)
金屬基復(fù)合材料是被長期關(guān)注及研究的復(fù)合材料之一。在金屬基體中添加不同的增強相,可獲得具有良好的導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能,高斷裂韌性、高強度、高剛度、強耐磨性、抗沖擊、耐腐蝕、抗疲勞及低熱膨脹系數(shù)的高性能復(fù)合材料。
但是,現(xiàn)有金屬基復(fù)合材料的增強相存在損耗金屬基體導(dǎo)熱導(dǎo)電的問題。
二維過渡金屬碳化物或碳氮化物,即MXenes,是由Gogotsi和Barsoum等人在2011年合作發(fā)現(xiàn)的具有二維片層結(jié)構(gòu)的新型材料,一般可用Mn+1XnTz表示,其中M指過渡族金屬(如Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Sc等),X指C或/和N,n一般為1-3,Tz指表面基團(如O2-、OH-、F-、NH3、NH4+等)。目前,MXenes一般來源于三元層狀金屬陶瓷Mn+1AXn相(M為過渡金屬元素,A為主族元素,X為C和/或N,n一般為1~3,簡稱MAX相),通過將MAX相中結(jié)合較弱的A位元素(如Al、Si等原子)抽出而得到。同石墨烯類似,MXenes具有優(yōu)良的導(dǎo)電導(dǎo)熱性,較高的比表面積,其單層結(jié)構(gòu)具有高導(dǎo)電率、高彈性模量,高比表面積及高彎曲強度等性能特點。而且,多層的MXenes具有“類手風(fēng)琴”結(jié)構(gòu),不易團聚;同時,其表面帶有的豐富基團能夠作為鐵/鎳/鈷等離子的合適配體。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種對于金屬基體與增強相組成的金屬基復(fù)合材料而言,提高其力學(xué)性能和耐腐蝕性能的同時避免增強相降低其導(dǎo)熱導(dǎo)電性的方法,該方法選用二維片層結(jié)構(gòu)材料Mxenes作為增強相,能夠避免增強相在提高金屬基復(fù)合材料力學(xué)性能和耐腐蝕性能的同時降低其導(dǎo)熱導(dǎo)電性的問題。
即,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種二維片層材料增強的金屬基復(fù)合材料,其特征是:以金屬材料為基體,二維過渡金屬碳化物或碳氮化物,即MXenes,作為增強相,所述的MXenes片層結(jié)構(gòu)均勻分散在金屬基體中。
所述金屬基體材料不限,包括銅、鋁、鎂、鎳、鐵、鉻、鋅、銀等中的一種或者其合金。
所述的MXenes材料用Mn+1XnTz表示,其中M指過渡族金屬(如Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Sc等),X指C或/和N,n一般為1-3,Tz指表面基團(如O2-、OH-、F-、NH3、NH4+等),包括但不限于Ti3C2、Ti2C、Nb2C、V2C、(Ti0.5,Nb0.5)2C、(V0.5,Cr0.5)3C2、Ti3CN、Ta4C3等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海大學(xué);中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,未經(jīng)上海大學(xué);中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611249539.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:傳送裝置與接收裝置
- 下一篇:空調(diào)器及其控制方法





