[發明專利]一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201611248815.7 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106527003B | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發明(設計)人: | 伍黃堯;吳煥達;張磊 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 朱琳愛義<國際申請>=<國際公布>=<進 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲電容 像素結構 陣列基板 存儲電容量 開關器件 并聯 補充 液晶顯示面板 工作頻率 連接關系 掃描頻率 顯示裝置 充電率 導通 斷開 變更 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:多個呈陣列排布的像素結構,每個像素結構具有存儲電容,至少一組與所述存儲電容并聯的補充存儲電容,以及與所述補充存儲電容一一對應的開關器件;其中,
所述開關器件,用于所述陣列基板工作在第一頻率時,導通所述補充存儲電容與所述存儲電容的并聯;所述陣列基板工作在第二頻率時,斷開所述補充存儲電容與所述存儲電容的并聯;所述第一頻率小于所述第二頻率,所述開關器件為薄膜晶體管;其中,
所述薄膜晶體管的源極與所述補充存儲電容的一電極端相連,漏極與所述存儲電容的一電極端相連,柵極分別與開關信號線和所述補充存儲電容的另一電極端相連;當所述開關信號線加載一有效信號時,控制所述薄膜晶體管處于導通狀態,所述補充存儲電容通過所述源極和所述漏極與所述存儲電容處于并聯狀態;
其中,所述補充存儲電容的電容值與所述存儲電容的電容值之比為1:5,所述第一頻率為30Hz-50Hz;所述第二頻率為120Hz。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述補充存儲電容由第一金屬電極端和第二金屬電極端組成,其中,所述第一金屬電極端分別與所述薄膜晶體管的柵極和所述開關信號線同層設置且相連,所述第二金屬電極端與所述薄膜晶體管的源極同層設置且相連。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述存儲電容由像素電極端和公共電極端組成;其中,所述像素電極端與所述薄膜晶體管的漏極相連。
4.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,每個所述像素結構具有至少兩組所述補充存儲電容時,各組所述補充存儲電容對應的所述開關器件與不同的開關信號線相連。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述開關信號線與所述像素結構連接的柵線延伸方向大致相同。
6.一種液晶顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求6所述的液晶顯示面板。
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