[發明專利]電光器件

在審

• 申請號: 201611248546.4
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106784073A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 林岳明
• 申請（專利權）人: 蘇州愛彼光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種電光器件，其特征在于，包括：

復合襯底，包括硅襯底層以及鍵合在所述硅襯底層上的藍寶石襯底層；

開關結構層，由生長在所述藍寶石襯底層上的氮化鎵晶體形成；

以及器件主體結構，包括鍵合于所述硅襯底層上的電光晶體層。

2.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述電光晶體層由鉭酸鋰晶體制成。

3.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述電光晶體層由鈮酸鋰晶體制成。

4.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述復合襯底還包括生長在所述藍寶石襯底層上的硅膜；所述藍寶石襯底層通過所述硅膜與所述硅襯底層鍵合。

5.根據權利要求4所述的電光器件，其特征在于，所述硅膜的厚度為1～5μm。

6.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述藍寶石襯底層的厚度為20μm。

7.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述硅襯底層的厚度為600～1500μm。

8.根據權利要求1所述的電光器件，其特征在于，所述開關結構層包括氮化鎵基場效應管。

9.根據權利要求8所述的電光器件，其特征在于，所述氮化鎵基場效應管為氮化鎵基高電子遷移率晶體管。