[發明專利]一種芯片及其封裝方法在審
| 申請號: | 201611248052.6 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106783643A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 陳峰;陸原 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/782;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 及其 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明實施例涉及芯片封裝技術,尤其涉及一種芯片及其封裝方法。
背景技術
隨著電子產品多功能化和小型化的快速發展,高密度微電子組裝技術逐漸成為電子產品的主要組裝技術。為了配合電子產品尤其是智能手機、掌上電腦、超級本等產品的發展,芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發展,因此芯片的封裝技術也越來越重要。現有的芯片封裝技術主要是晶圓級封裝技術。
采用晶圓級封裝技術封裝芯片時,首先將晶片裁切為多個芯片,并需提供一承載片并在承載片上貼芯片粘結膠以作為臨時鍵合結構;再采用貼片工藝將裁切好的多個芯片按照一定間隔倒裝在粘結膠上,通過塑封工藝進行封裝并在塑封完成后去掉承載片和芯片粘貼膠,最后進行布線和電路布局后切割為單個芯片產品。
顯然,現有晶圓級封裝技術在封裝芯片過程中采用了臨時鍵合工藝和貼片工藝,工藝流程多,成本高。
發明內容
本發明實施例提供一種芯片及其封裝方法,以解決現有封裝技術的工藝流程多且成本高等問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種芯片封裝方法,該芯片封裝方法包括:
將晶片貼附在貼片膜上并將所述晶片切割為多個芯片,其中,所述晶片的正面與所述貼片膜貼合;
拉伸所述貼片膜以使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙;
在任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙內放置導電體,并在所述多個芯片的背離所述貼片膜的第一表面上形成絕緣層且露出所述導電體;
去除所述貼片膜,并在所述多個芯片上布線且布線完成后切割以形成多個芯片產品。
進一步地,將晶片貼附在貼片膜上之前,還包括:
將所述貼片膜貼附在環形封裝模具上,其中,所述環形封裝模具的形狀為方環形或圓環形。
進一步地,拉伸所述貼片膜的具體執行過程為:
采用張膜機拉伸所述貼片膜以使所述貼片膜撐開,使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙。
進一步地,任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。
進一步地,所述導電體為導電球,或者,所述導電體為帶有通孔的基板且所述通孔中填充有導電材料,或者,所述導電體為導電膏。
進一步地,在任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙內放置導電體的具體執行過程為:
采用球柵陣列封裝技術、貼片工藝或印刷工藝在任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙內放置導電體。
進一步地,在所述多個芯片的背離所述貼片膜的第一表面上形成絕緣層包括:
在所述多個芯片的第一表面上形成所述絕緣層,對所述絕緣層進行刻蝕處理并刻蝕至露出所述導電體的表面。
進一步地,所述絕緣層為感光樹脂材料。
進一步地,在所述多個芯片上布線包括:
在所述多個芯片的第一表面上形成第一保護層并露出所述導電體,在該導電體上形成焊球;
在所述多個芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二保護層并在所述第二保護層中形成分別與所述電極和所述導電體對應設置的多個第一過孔,所述第一過孔的底部延伸至對應的所述電極的表面或延伸至對應的所述導電體的表面;
在所述第二保護層上形成導電圖案,所述導電圖案通過所述第一過孔與所述多個芯片的電極和導電體電連接;
在所述導電圖案上形成第三保護層并在所述第三保護層中形成分別與所述電極和所述導電體對應設置的第二過孔且所述第二過孔的底部延伸至所述導電圖案的表面;
在所述第二過孔中形成焊球,所述焊球通過所述第二過孔與所述導電圖案電連接。
第二方面,本發明實施例還提供了一種芯片,該芯片采用如上所述的芯片封裝方法進行封裝,該芯片包括:
晶片,所述晶片貼附在貼片膜上且所述晶片包括多個芯片,其中,所述晶片的正面與所述貼片膜貼合;
貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙;
位于任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙內的導電體,以及位于所述多個芯片的背離所述貼片膜的第一表面上的絕緣層,所述絕緣層露出所述導電體;
去除所述貼片膜后,位于所述多個芯片上的布線層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司,未經華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611248052.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種芯片及其封裝方法
- 下一篇:一種金剛石與GaN晶圓片直接鍵合的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





