[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611245999.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN107170826A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王士瑋;張家豪;羅文呈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/306
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一目標(biāo)層于一基板上；

形成一籽晶層于該目標(biāo)層上；

形成一硬掩模層于該籽晶層上，其中該硬掩模層包括一開口暴露出該籽晶層的一部分；

形成一導(dǎo)電層于該開口中，其中該導(dǎo)電層選擇性地沉積于該籽晶層的該部分上；以及

利用該導(dǎo)電層作為一掩模，以蝕刻該目標(biāo)層的一部分。