[發明專利]一種太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201611245561.3
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106653949A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 王成;金井升;張昕宇;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，包括：

步驟S1：制備等離子反應刻蝕RIE硅片；

步驟S2：在所述等離子反應刻蝕RIE硅片表面進行PN結擴散，形成PN結擴散層，在所述PN結擴散層的表面印刷副柵圖案；

步驟S3：覆蓋所述副柵圖案蒸鍍減反射膜，在所述等離子反應刻蝕RIE硅片的背面制備背電極；

步驟S4：在所述減反射膜上印刷主柵圖案，所述主柵圖案中的主柵線與所述副柵圖案中的副柵線相互垂直，進行燒結后形成太陽能電池。

2.如權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述制備等離子反應刻蝕RIE硅片包括：

對選取的硅片進行清洗制絨，形成第一絨面層；

在所述第一絨面層上進行反應離子刻蝕，形成第二絨面層，得到等離子反應刻蝕RIE硅片。

3.如權利要求2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述制備等離子反應刻蝕RIE硅片之后，還包括：

對所述等離子反應刻蝕RIE硅片進行刻蝕清洗從而去除邊緣磷硅玻璃以及碎屑。

4.如權利要求3所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，在所述等離子反應刻蝕RIE硅片表面進行PN結擴散之前，還包括：

對所述等離子反應刻蝕RIE硅片依次進行HF酸洗、ID水洗以及KOH堿洗。

5.一種太陽能電池，其特征在于，包括等離子反應刻蝕RIE硅片，以及在所述等離子反應刻蝕RIE硅片的正面依次設置的PN結擴散層、副柵圖案、減反射膜以及主柵圖案，所述主柵圖案中的主柵線與所述副柵圖案中的副柵線相互垂直。

6.如權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述等離子反應刻蝕RIE硅片為正表面依次設置的第一絨面層以及第二絨面層的硅片。

7.如權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅片為金剛線切割多晶硅片。

8.如權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述金剛線切割多晶硅片的厚度范圍為168nm～212nm范圍，面積范圍為150mm*150mm～160mm*160mm。

9.如權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述減反射膜為Si_xN_y減反射膜，所述Si_xN_y減反射膜的膜厚范圍為75～85nm，折射率范圍為2.05～2.15。

10.如權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，所述主柵線的條數范圍為2～6根，所述副柵線的條數范圍為90～120根。