[發(fā)明專利]帶干涉儀的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴及其工作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611244155.5
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108257838B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設計）人: 左濤濤;張潔;萬磊
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周乃鑫

1.一種防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴，所述氣體噴嘴與一干涉儀連接，所述干涉儀用于發(fā)射檢測光，所述氣體噴嘴與反應腔連接，用于向反應腔內(nèi)輸送反應氣體，所述反應腔內(nèi)具有基座，用于承載待加工基片，其特征在于，所述氣體噴嘴包含：

氣體噴嘴本體；噴氣孔，其設置于氣體噴嘴本體內(nèi)，所述噴氣孔內(nèi)徑范圍為3毫米至5毫米，所述噴氣孔的深寬比大于等于10:1；

所述氣體噴嘴還用于將所述檢測光輸送至待加工基片的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴，其特征在于，所述噴氣孔設置于氣體噴嘴本體位于反應腔內(nèi)部分的側(cè)面和底面。

3.如權(quán)利要求1或2所述的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴，其特征在于，所述氣體噴嘴本體均勻分布有7至20個噴氣孔。

4.如權(quán)利要求1所述的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴，其特征在于，所述氣體噴嘴本體采用耐等離子陶瓷制成。

5.如權(quán)利要求1或4所述的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴，其特征在于，所述氣體噴嘴本體的外表面設有陽極氧化層。

6.一種帶干涉儀的氣體噴嘴組件，其特征在于，該氣體噴嘴包含：

如權(quán)利要求1至5中任意一項權(quán)利要求所述的防止等離子體進入內(nèi)部的氣體噴嘴；

干涉儀固定座，其連接氣體噴嘴本體，設有連通噴氣孔的干涉儀光路和氣體管路；

干涉儀，其固定于干涉儀固定座；干涉儀的檢測光通過干涉儀光路和噴氣孔射向反應腔內(nèi)的基片，檢測光由基片反射回干涉儀檢測基片的反應厚度。

7.如權(quán)利要求6所述的帶干涉儀的氣體噴嘴組件，其特征在于，所述氣體噴嘴組件還包含反射型光學準直器，其連接干涉儀固定座，其準直光通過干涉儀固定座的干涉儀光路和噴氣孔照射基片，準直光由基片反射回反射型光學準直器，準直干涉儀的檢測光路。

8.如權(quán)利要求6所述的帶干涉儀的氣體噴嘴組件，其特征在于，所述干涉儀固定座為不銹鋼法蘭。

9.一種如權(quán)利要求6至8中任意一項權(quán)利要求所述的帶干涉儀的氣體噴嘴組件的工作方法，其特征在于，該方法包含

等離子體處理過程中，反應氣體通過噴氣孔持續(xù)通入反應腔；

干涉儀通過噴氣孔向反應腔內(nèi)的基片發(fā)射檢測光，基片反射檢測光后由干涉儀接收，檢測反應過程中基片的反應厚度。