[發(fā)明專利]3G射頻功率放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611236111.8 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN106603026A | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 錢永兵;雷良軍;何江波 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中普微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/19 | 分類號： | H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司32293 | 代理人： | 韓鳳 |
| 地址： | 214000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 3g 射頻 功率放大器 | ||
1.一種3G射頻功率放大器，其特征是：包括第一級放大結(jié)構(gòu)以及通過級間匹配電路與所述第一級放大結(jié)構(gòu)連接的第二級放大結(jié)構(gòu)；
第一級放大結(jié)構(gòu)包括射頻放大管T1、與所述射頻放大管T1適配的輸入匹配電路以及與所述射頻放大管T1適配的放大管T1偏置電路；
第二級放大結(jié)構(gòu)包括射頻放大管T2、與所述射頻放大管T2適配的輸出匹配電路以及與所述射頻放大管T2適配的放大管T2偏置電路；
所述輸入匹配電路包括與射頻放大管T1基極端連接的電阻R1，電阻R1的另一端與芯片電容C1的一端連接，芯片電容C1的另一端通過基板繞線電感L1接地；
級間匹配電路包括芯片電容C4、基板繞線電感L2、芯片電容C3以及基板繞線電感RFC1，芯片電容C4的一端與射頻放大管T2的基極端連接，芯片電容C4的另一端與基板繞線電感L2的一端以及芯片電容C3的一端連接，基板繞線電感L2的另一端接地，芯片電容C3的另一端與射頻放大管T1的集電極端以及基板繞線電感RFC1的一端連接，基板繞線電感RFC1的另一端與電源VCC2連接；
輸出匹配電路包括芯片電容C5、基板繞線電感RFC2以及基板繞線電感L3，芯片電容C5的一端與射頻放大管T2的集電極端以及基板繞線電感RFC2的一端連接，基板繞線電感RFC2的另一端與電源VCC2連接，芯片電容C5的另一端與基板繞線電感L3的一端連接，基板繞線電感L3的另一端接地，芯片電容C5與基板繞線電感L3相連的一端形成放大輸出端OUT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3G射頻功率放大器，其特征是：所述放大管T1偏置電路包括偏置放大管T3、偏置放大管T4以及偏置放大管T5，偏置放大管T3的發(fā)射極與電阻R1的另一端、電容C1的一端連接以及電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與射頻放大管T1的集電極連接；
偏置放大管T3的集電極端與電壓Vreg連接，偏置放大管T3的基極端與電容C6的一端、偏置放大管T5的集電極端、偏置放大管T5的基極端以及電阻R2的一端連接，電容C6的另一端與偏置放大管T4的發(fā)射極端連接后接地，偏置放大管T4的基極端與偏置放大管T4的集電極端以及偏置放大管T5的發(fā)射極端連接，電阻R2的另一端與電壓Vreg連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3G射頻功率放大器，其特征是：所述放大管T2偏置電路包括偏置放大管T6、偏置放大管T7以及偏置放大管T8，偏置放大管T6的發(fā)射極端與射頻放大管T2的基極端連接，偏置放大管T6的基極端與電容C7的一端、偏置放大管T8的基極端、偏置放大管T8的集電極端以及電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端以及偏置放大管T6的集電極段均與電壓Vreg連接，電容C7的另一端與偏置放大管T7的發(fā)射極端連接后接地，偏置放大管T7的基極端與偏置放大管T7的集電極端以及偏置放大管T8的發(fā)射極端連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫中普微電子有限公司，未經(jīng)無錫中普微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611236111.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
