[發明專利]一種高效低成本實現低濃深結的單晶擴散方法

在審

• 申請號: 201611235159.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106847992A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 王丹萍;徐強;徐華浦;李慧;彭彪;蔣志強;錢明明
• 申請（專利權）人: 東方環晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司32218
• 代理人: 劉暢,徐冬濤

1.一種高效低成本實現低濃深結的單晶擴散方法，其特征在于它按照以下步驟順序進行：氧化層制備，恒定源擴散，高溫擴散，一步降溫，低溫擴散，二步降溫。

2.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述氧化層制備：將M2硅片放入擴散爐中，升溫至750～790℃，通入O₂ 1.8～2.2slm，N₂ 2.8～3.2slm，對硅片表面進行氧化約3～5分鐘。

3.根據權利要求2所述的擴散方法，其特征在于所述M2硅片的邊長為156.75mm。

4.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述恒定源擴散：擴散爐升溫至810℃，通入N₂ 7.7～8.3slm，O₂ 0.45～0.55slm，N₂-POCL 0.75～0.85slm在硅片表面沉積磷源10～14min。

5.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述高溫擴散：擴散爐升溫至840～880℃，僅通入N₂ 4.3～4.7slm，O₂ 2.7～3.3slm，進行高溫擴散18-22min。

6.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述一步降溫：將擴散爐溫度將至750～790℃。

7.根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述低溫擴散：擴散爐恒溫在750～790℃，通入N₂ 7.7～8.3slm，O₂ 0.4～0.6slm，N₂-POCL 0.37～0.43slm在硅片表面低溫沉積磷源7～9min。

根據權利要求1所述的擴散方法，其特征在于所述二步降溫：擴散爐溫度降至730～750℃出舟。