[發明專利]一種半透明的薄膜太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201611234622.6
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN107068788B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 馬立云;彭壽;潘錦功;殷新建;伏進文
• 申請（專利權）人: 成都中建材光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0445
• 分類號: H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙) 51237
• 代理人: 李華;溫黎娟

本發明公開一種半透明的薄膜太陽能電池，依次設置的透明襯底、透明導電膜、半導體層和背接觸電極層；所述半導體層包括N型半導體層和P型半導體層；所述背接觸電極層包括金屬背接觸電極；其中，所述金屬背接觸電極為金背接觸電極、銅背接觸電極和銅金合金背接觸電極中一種或多種。所述半透明的薄膜太陽能電池具有較高透明度以及透光率。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種半透明的薄膜太陽能電池及其制備方法。

背景技術

近年來，隨著世界經濟的發展和人口的增長，對清潔能源的需要越來越強烈。太陽能是一種清潔、無污染、取之不盡、用之不竭的可再生能源，不產生任何的環境污染。在太陽能的有效利用當中，大陽能光電利用是近些年來發展最快、最具活力的研究領域，是其中最受矚目的項目之一。為此，人們研制和開發了太陽能電池。其中，薄膜太陽能電池具備弱光條件下仍可發電、生產過程能耗低及可大幅度降低原料和制造成本等一系列優勢，已成為近年來的研究熱點，其市場發展潛力巨大。

目前傳統薄膜太陽能電池，例如晶硅薄膜太陽能電池，其晶硅太陽能組件，長時間應用還有PID效應，建設成本高，不透光，無法給建筑提供太陽能光源，制約了光伏組件的應用領域。由此，半透明的薄膜太陽能電池成為薄膜太陽能電池的發展方向，半透明的薄膜太陽能電池能夠讓可見光通過的同時，隔斷對人體有害的紫外線并吸收部分可見光和近紅外光來發電，可廣泛應用于在汽車玻璃、樓宇玻璃、家裝玻璃等領域。但是，由于半透明的薄膜太陽能器件結構和透明電極的限制，使其透明度以及透光率較低。。

發明內容

有鑒于此，本申請提供了一種半透明的薄膜太陽能電池及其制備方法，所述半透明的薄膜太陽能電池具有較高透明度以及透光率。

未解決上述技術問題，本申請提供的技術方案是：提供一種半透明的薄膜太陽能電池，包括：依次設置的透明襯底、透明導電膜、半導體層和背接觸電極層；所述半導體層包括N型半導體層和P型半導體層；所述背接觸電極層包括金屬背接觸電極；其中，所述金屬背接觸電極為金背接觸電極、銅背接觸電極和銅金合金背接觸電極中一種或多種。

優選的，所述透明襯底為玻璃或高分子聚合物。

優選的，所述高分子聚合物為聚酰亞胺。

優選的，所述透明導電膜為透明導電氧化物。

優選的，所述半導體層與所述透明導電膜之間和/或所述半導體層與所述背接觸電極之間復合有緩沖層。

優選的，所述緩沖層為SnO₂層。

優選的，所述N型半導體層為CdS層，所述P型半導體層為CdTe層、ZnTe層和CdZnTe層中一種或多種。

優選的，所述N型半導體層厚度＜100nm。

優選的，所述N型半導體層厚度為50～100nm。

優選的，所述P型半導體層包括CdTe層和ZnTe層。

優選的，所述P型半導體層厚度＜750nm。

優選的，所述P型半導體層厚度為200～500nm。

優選的，所述半導體層表面復合有鹽層。

優選的，所述鹽層為NH₄Cl和ZnCl₂混合層、CuCl₂層或CdCl₂層。

優選的，所述鹽層為CdCl₂層。

優選的，所述背接觸電極由金背接觸電極和銅背接觸電極組成。

優選的，所述金背接觸電極厚度為3nm～30nm。