[發(fā)明專利]型腔、塑封體以及粘結(jié)力檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611230301.9 | 申請日: | 2016-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108242406B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 季剛;吳澤星;林志杰 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤華晶微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/66;G01N19/04 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 型腔 塑封 以及 粘結(jié) 檢測 方法 | ||
本申請?zhí)峁┮环N型腔、塑封體以及粘結(jié)力檢測方法。本申請中,型腔用于以引線框?yàn)榛w制備具有樹脂凸起部的塑封體;其中,型腔底部開設(shè)有用于容納樹脂及樹脂形成的樹脂凸起部的凹槽以及與凹槽連通的、用于將樹脂引流至凹槽的通道,型腔底部上還設(shè)置有用于支撐引線框的支撐體,支撐體上開設(shè)有與通道連通的澆口。本申請可以科學(xué)、合理地確定塑封體上的樹脂與引線框的粘結(jié)力,進(jìn)而可以量化地評判塑封體的引線框與樹脂凸起部之間粘結(jié)程度,可做為半導(dǎo)體塑封體粘結(jié)力檢測的手段。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種型腔、塑封體以及粘結(jié)力檢測方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體后道封裝工藝中,引線框架是集成電路封裝必不可少的材料,它作為集成電路的芯片載體,起到了和外部導(dǎo)通連接的作用,因此,除了要求引線框架具備優(yōu)良的導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、機(jī)械性能、抗氧化性能以及抗腐蝕性能,還要求其具備高可靠性。
在對半導(dǎo)體進(jìn)行封裝時(shí),一般采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝,而環(huán)氧樹脂與引線框的界面處的粘結(jié)力的大小一定程度上會影響IC(Integrated Circuit,集成電路)、分立器件的可靠性。然而,相關(guān)技術(shù)中還沒有檢測環(huán)氧樹脂與引線框的界面處的粘結(jié)力的大小的技術(shù)手段。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請實(shí)施例提供一種型腔、塑封體以及粘結(jié)力檢測方法,用以檢測半導(dǎo)體塑封體的樹脂與引線框之間的粘結(jié)力。
本申請部分實(shí)施例提供了一種型腔,所述型腔用于以引線框?yàn)榛w制備具有樹脂凸起部的塑封體,其中,
所述型腔底部開設(shè)有用于容納樹脂及所述樹脂形成的所述樹脂凸起部的凹槽以及與所述凹槽連通的、用于將樹脂引流至所述凹槽的通道,所述型腔底部上還設(shè)置有用于支撐所述引線框的支撐體,所述支撐體上開設(shè)有與所述通道連通的澆口。
在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,所述凹槽的底面的形狀可為第一正方形,所述凹槽的開口的形狀可為第二正方形,所述第二正方形的邊長大于所述第一正方形的邊長。
在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,所述凹槽的側(cè)壁的斜度可為10°。
在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,所述第二正方形的邊長范圍可為1.5毫米~2.5毫米。
本申請部分實(shí)施例還提供了一種塑封體,由上述的型腔制備而成;所述塑封體包括作為基體的引線框以及粘附于所述引線框上的所述樹脂凸起部。
本申請部分實(shí)施例還提供了一種粘結(jié)力檢測方法,用于檢測權(quán)上述的塑封體的所述引線框與所述樹脂凸起部之間的粘結(jié)力,所述粘結(jié)力檢測方法包括:
將所述塑封體放置于推力機(jī)的測試臺上;其中,所述塑封體上所述樹脂凸起部的一側(cè)朝上;
所述推力機(jī)的推刀以所述樹脂凸起部的一側(cè)為施力面,朝向所述樹脂凸起部的一側(cè)的相對的另一側(cè)施加推力;在施加所述推力的過程中,所述推力的值從0開始持續(xù)增大直至所述推刀將所述樹脂凸起部從所述引線框上推離;
獲取所述推刀將所述樹脂凸起部從所述引線框上推離時(shí)的推力,作為所述粘結(jié)力。
在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,所述方法還可包括:
當(dāng)所述粘結(jié)力的值低于或者等于第一預(yù)設(shè)閾值時(shí),判定所述引線框與所述樹脂凸起部之間存在離層。
在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,所述方法還可包括:
獲取設(shè)定數(shù)量的塑封體的超聲儀掃描圖像以及每一塑封體的所述引線框與所述樹脂凸起部之間的粘結(jié)力;
獲取每一塑封體的超聲儀掃描圖像中引線框與樹脂凸起部之間的離層圖像的面積與超聲儀掃描圖像的面積之比;
查找出離層圖像的面積與超聲儀掃描圖像的面積之比等于第二閾值的塑封體,作為存在離層的塑封體;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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