[發明專利]一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法在審
| 申請號： | 201611223311.X | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN106784111A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 馬立云;彭壽;潘錦功;殷新建;蔣猛 | 申請（專利權）人： | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/073 | 分類號： | H01L31/073;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙)51237 | 代理人： | 李華,溫黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碲化鎘 薄膜 太陽能電池 低溫 制作方法 | ||
1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)在玻璃襯底上沉積透明導電膜層和高阻層，沉積溫度條件為低于400℃；
(2)在高阻層上沉積硫化鎘層，沉積溫度條件為低于250℃；
(3)在硫化鎘層上沉積碲化鎘層，沉積溫度條件為低于300℃；
(4)將氯化銅+氯化銨水溶液或氯化鋅+氯化銨水溶液涂覆在碲化鎘層上，在250～300℃的條件下加熱3～25min后，用去離子水清洗掉表面殘留物，然后沉積背電極層，沉積溫度條件為低于280℃；
(5)背電極層退火處理：180～250℃溫度下加熱3～15min。
2.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中氯化銅+氯化銨水溶液的濃度為0.025～0.125mol/L，其中氯化銅的含量為0.005～0.1mol/L；氯化鋅+氯化銨水溶液的濃度為0.025～
0.125mol/L，其中氯化鋅的含量為0.005～0.1mol/L。
3.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中透明導電膜層的材料選自氟摻雜的氧化錫和鋁摻雜的氧化鋅。
4.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中高阻層的材料選自本征氧化錫和本征氧化鋅。
5.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中透明導電膜層和高阻層的沉積方法選自化學氣相沉積法和磁控濺射法。
6.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(2)中硫化鎘層的沉積方法選自磁控濺射法和化學水浴法。
7.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(3)中碲化鎘層的沉積方法選自磁控濺射法和蒸鍍法。
8.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中背電極層的沉積方法為磁控濺射法。
9.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述硫化鎘層的厚度為50～150納米，碲化鎘層的厚度為2～6微米。
10.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述背電極層包括金屬鉬、鋁和鉻層，鉬層的厚度為20～200納米，鋁層的厚度為50～400納米，鉻層的厚度為50～200納米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
