[發明專利]半導體裝置及其制造方法和使用電腦設計其布局的方法

有效

• 申請號: 201611219689.2
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106952869B
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 吳於貝;魏圣軒;李莉渝;吳岱洋;陳殿豪;鄭價言
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L21/762
• 代理公司: 72003 隆天知識產權代理有限公司
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導體裝置的制造方法，包括下列步驟：

于一基板上方形成一第一層間介電層；

于該些第一層間介電層中形成第一凹陷；

于該些第一凹陷中形成金屬導線；

于該些金屬導線和該些第一層間介電層上方形成一遮罩層；

通過圖案化該遮罩層形成一第一開口和一第二開口；

通過蝕刻該些第一層間介電層形成對應于該第一開口的一第一槽和對應于該第二開口的一第二槽；以及

形成一第二層間介電層，以便于該第一槽中形成一第一空氣間隙，且于該第二槽中形成一第二空氣間隙，其中：

該些金屬導線之間以一第一間隙或一第二間隙配置，該第二間隙的長度大于該第一間隙的長度，

于一第一區域中形成的該第一空氣間隙是夾設于以該第一間隙配置的兩條相鄰的該些金屬導線之間，

于一第二區域中形成的該第二空氣間隙是夾設于以該第二間隙配置的兩條相鄰的該些金屬導線之間，

該些金屬導線以一第一方向延伸，以及

該第一開口沿該第一方向的一長度大于該第二開口沿該第一方向的一長度。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

在一平面圖中，該第一開口重迭至少兩條的該些金屬導線，以及

在該平面圖中，該第二開口僅重迭該些金屬導線的一條。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第二區域的兩條相鄰的該些金屬導線的至少一條為一虛設金屬導線。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中：

在一平面圖中，該第一開口重迭至少該些金屬導線的至少兩條，以及

在該平面圖中，該第二開口重迭該虛設金屬導線。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中在該平面圖中，該第一開口重迭多于兩條的該些金屬導線。

6.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中在該平面圖中，該第二開口重迭該虛設金屬導線和一相鄰虛設金屬導線。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中：

在一平面圖中，該第一空氣間隙具有沿一第一方向的一長邊長度和沿一第二方向的一短邊寬度，該第二方向垂直于該第一方向，

在一平面圖中，該第二空氣間隙具有沿一第一方向的一第一邊長度和沿一第二方向的一第二邊長度，以及

該第一空氣間隙的該長邊長度和該短邊寬度的一比值大于該第二空氣間隙的該第一邊長度和該第二邊長度的一比值。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中：

該第一空氣間隙的該長邊長度和該短邊寬度的該比值大于5，以及

該第二空氣間隙的該第一邊長度和該第二邊長度的該比值為0.5-2。

9.一種半導體裝置，包括：

一第一層間介電層，設置于一基板上方；

金屬導線，內嵌于該第一層間介電層中，該些金屬導線之間以一第一間隙或一第二間隙配置，該第二間隙的長度大于該第一間隙的長度；

一第二層間介電層，設置于該第一層間介電層和該些金屬導線上方；

一第一空氣間隙，利用該第二層間介電層形成，該第一空氣間隙形成于一第一區域中，且夾設于以該第一間隙配置的相鄰兩條金屬導線之間；以及

一第二空氣間隙，利用該第二層間介電層形成，該第二空氣間隙形成于一第二區域中，且夾設于以大于該第一間隙的一間隙配置的兩條相鄰的該些金屬導線之間，

其中該些金屬導線以一第一方向延伸，以及

該第一空氣間隙沿該第一方向的一長度大于該第二空氣間隙沿該第一方向的一長度。