[發(fā)明專利]抗單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611218768.1
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106847325A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭靖;朱磊;董亮;劉文怡;熊繼軍
• 申請（專利權(quán)）人: 中北大學(xué);齊齊哈爾大學(xué)
• 主分類號: G11C7/24
• 分類號: G11C7/24;H03K19/003
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所23109
• 代理人: 岳泉清

1.抗單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于，它包括2個(gè)PMOS晶體管和8個(gè)NMOS晶體管，所述的2個(gè)PMOS晶體管分別為晶體管P1和P2，8個(gè)NMOS晶體管分別為晶體管N1至N8；

晶體管P2的源極、晶體管P1的源極、晶體管N5的漏極和晶體管N6的漏極均接供電電源，

晶體管P2的漏極與晶體管P1的柵極、晶體管N6的柵極、晶體管N2的漏極同時(shí)連接，晶體管P2的漏極與晶體管P1的柵極的交點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)C，

晶體管P2的柵極與晶體管P1的漏極、晶體管N4的漏極和晶體管N5的柵極同時(shí)連接，晶體管P1的漏極與晶體管N5的柵極的交點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)D，

晶體管N6的源極與晶體管N8源極、晶體管N4的柵極、晶體管N3的漏極和晶體管N1的柵極同時(shí)連接，晶體管N4的柵極與晶體管N3的漏極的交點(diǎn)為存儲(chǔ)單元輸出節(jié)點(diǎn)A，

晶體管N4的源極與晶體管N3的源極、晶體管N1的源極和晶體管N2的源極同時(shí)接地，

晶體管N5的源極與晶體管N7源極、晶體管N3的柵極、晶體管N1的漏極和晶體管N2的柵極同時(shí)連接，晶體管N2的柵極與晶體管N1的漏極的交點(diǎn)為存儲(chǔ)單元輸出節(jié)點(diǎn)B，

晶體管N7的柵極和晶體管N8的柵極均通過字線WL來接收控制開關(guān)操作的信號，

晶體管N7的漏極與位線BLN連接，晶體管N8的漏極與位線BL連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于，當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)B的電平為“0”、節(jié)點(diǎn)C的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)D的電平為“0”時(shí)，所述存儲(chǔ)單元處于存操作狀態(tài)的具體過程為：當(dāng)字線WL為低電平“0”的時(shí)候，晶體管N4、N6、N1和P2處于開態(tài)，剩下的晶體管都處于關(guān)態(tài)，該種情況下，完成存儲(chǔ)單元的存操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于，當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)B的電平為“0”、節(jié)點(diǎn)C的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)D的電平為“0”時(shí)，所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作的具體過程為：

首先，位線BL和BLN被預(yù)充電到VDD，當(dāng)字線WL為高電平“1”的時(shí)候，節(jié)點(diǎn)A保持高電平“1”狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)B保持低電平“0”狀態(tài),位線BLN通過晶體管N1和N7進(jìn)行放電；

然后，外圍電路中的放大器將根據(jù)兩條位線BL和BLN之間的電壓差，將存儲(chǔ)單元的狀態(tài)輸出，從而完成存儲(chǔ)單元的讀操作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元，其特征在于，當(dāng)節(jié)點(diǎn)A的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)B的電平為“0”、節(jié)點(diǎn)C的電平為“1”、節(jié)點(diǎn)D的電平為“0”時(shí)，所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作的具體過程為：

將位線BL下拉到低電平“0”，同時(shí)將位線BLN上拉到高電平“1”，當(dāng)字線WL為高電平“1”時(shí)，晶體管N7和N8處于導(dǎo)通的狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)A被下拉到低電平“0”，節(jié)點(diǎn)B被上拉到高電平“1”，此時(shí)，晶體管P1、N2、N3和N5處于導(dǎo)通態(tài)，晶體管N4、N6、N1和P2，處于關(guān)閉狀態(tài)，當(dāng)字線WL回到低電平“0”時(shí)，所有節(jié)點(diǎn)均處于穩(wěn)定狀態(tài)，從而完成存儲(chǔ)單元的寫操作。