[發明專利]半導體器件在審
| 申請號： | 201611217952.4 | 申請日： | 2016-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN107170818A | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發明（設計）人： | 劉圣得;周仲彥;劉世昌 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/08;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，包括：
襯底；
第一III-V化合物層，位于所述襯底上方；
第一鈍化層，位于所述第一III-V化合物層上；
源極區，穿過所述第一鈍化層以電接觸所述第一III-V化合物層；以及
漏極區，穿過所述第一鈍化層以電接觸所述第一III-V化合物層，
其中，與所述源極區接觸的所述第一鈍化層的側壁包括階梯狀。
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