[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制備方法、液晶顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611217589.6
• 申請(qǐng)日: 2016-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106773397B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉智;王輝;張朝科
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括像素區(qū)及周邊區(qū)，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，及設(shè)置于所述襯底基板上且處于所述周邊區(qū)的壓電部；所述壓電部包括第一電極、第二電極、以及設(shè)置于所述第一電極和所述第二電極之間的壓電材料層，所述第一電極與所述第二電極各自與不同的電壓信號(hào)端電連接，所述壓電材料層的第一表面與所述第一電極接觸，所述壓電材料層的第二表面與所述第二電極接觸；

所述陣列基板還包括設(shè)置于所述襯底基板上的源漏金屬層，所述源漏金屬層位于所述像素區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：層疊布置于所述襯底基板上的第一導(dǎo)電層、絕緣層及第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層處于所述像素區(qū)；

所述第一電極與所述第一導(dǎo)電層同層設(shè)置，所述第二電極與所述第二導(dǎo)電層同層設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的周邊區(qū)設(shè)置有與所述第一電極和所述第二電極相對(duì)應(yīng)的穿透所述絕緣層的填充槽，所述壓電材料層位于所述填充槽內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極與所述第一導(dǎo)電層連通；

所述第二電極與所述第二導(dǎo)電層隔斷，二者連接至同一電壓信號(hào)端。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為像素電極，所述第二導(dǎo)電層為公共電極；

或者，所述第一導(dǎo)電層為公共電極，所述第二導(dǎo)電層為像素電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述壓電部數(shù)量為多個(gè)，等間隔地布置于所述周邊區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述壓電部為框型。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述壓電材料層的形成材料為無(wú)機(jī)壓電材料。

9.一種液晶顯示裝置，包括彩膜基板、陣列基板及夾設(shè)于二者之間的液晶層，其特征在于，所述陣列基板為如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的陣列基板。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板的周邊區(qū)形成第一電極，并使所述第一電極與一電壓信號(hào)端電連接；

在所述第一電極上形成與所述第一電極相接觸的壓電材料層；

在所述壓電材料層上形成與所述壓電材料層相接觸的第二電極，并使所述第二電極與另一電壓信號(hào)端電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述襯底基板的周邊區(qū)形成第一電極的同時(shí)還包括：在所述襯底基板的像素區(qū)形成第一導(dǎo)電層；

所述在所述第一電極上形成與所述第一電極相接觸的壓電材料層包括：在形成有所述第一導(dǎo)電層和所述第一電極的襯底基板上覆蓋絕緣層；利用構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的周邊區(qū)形成暴露所述第一電極的填充槽；在所述填充槽內(nèi)填充壓電材料，形成壓電材料層；

在所述壓電材料層上形成與所述壓電材料層相接觸的第二電極的同時(shí)還包括：在所述絕緣層的像素區(qū)上形成第二導(dǎo)電層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，同時(shí)形成所述第一導(dǎo)電層和所述第一電極的步驟包括：在所述襯底基板上沉積第一導(dǎo)電薄膜，所述第一導(dǎo)電薄膜處于像素區(qū)的部分作為所述第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電薄膜處于周邊區(qū)的部分作為所述第一電極；

同時(shí)形成所述第二導(dǎo)電層和所述第二電極的步驟包括：在形成有所述壓電材料層的襯底基板上沉積第二導(dǎo)電薄膜，利用構(gòu)圖工藝去除所述第二導(dǎo)電薄膜的部分材料，形成處于像素區(qū)的所述第二導(dǎo)電層和處于周邊區(qū)的所述第二電極。