[發明專利]一種光刻機的晶圓保護模塊的位置調整方法及光刻機

有效

• 申請號: 201611217144.8
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106773542B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 吳謙國
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本發明公開了一種光刻機的晶圓保護模塊的位置調整方法及光刻機，該方法包括將晶圓保護模塊放置于基臺的表面上；根據所述基臺的表面上預設的基準標記檢測并計算所述晶圓保護模塊的實際位置與理論位置的偏移量；判斷所述偏移量是否大于預設閾值；若大于所述預設閾值，則根據所述偏移量調整所述基臺與所述晶圓保護模塊的相對位置，以使調整后所述偏移量小于或等于所述預設閾值。通過上述方式，本發明能夠提高晶圓保護模塊位置的準確性。

技術領域

本發明涉及半導體光刻領域，特別是涉及一種光刻機的晶圓保護模塊的位置調整方法及光刻機。

背景技術

光刻機是半導體制造領域關鍵設備，其一般會用到晶圓模塊?，F有晶圓保護模塊都是通過一個金屬保護環治具實現，通過機械定位安裝于光刻機的曝光平臺上，由于機械定位穩定性較差，且出現偏移后無法及時發現，會導致大批量的產品返工甚至報廢，造成嚴重的經濟質量損失。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種光刻機的晶圓保護模塊的位置調整方法及光刻機，能夠提高晶圓保護模塊位置的準確性。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種光刻機的晶圓保護模塊的位置調整方法，所述方法包括：將晶圓保護模塊放置于基臺的表面上；根據所述基臺的表面上預設的基準標記檢測并計算所述晶圓保護模塊的實際位置與理論位置的偏移量；判斷所述偏移量是否大于預設閾值；若大于所述預設閾值，則根據所述偏移量調整所述基臺與所述晶圓保護模塊的相對位置，以使調整后所述偏移量小于或等于所述預設閾值。

其中，所述根據所述基臺的表面上預設的基準標記檢測并計算所述晶圓保護模塊的實際位置與理論位置的偏移量的步驟包括：對所述晶圓保護模塊和所述基臺進行圖像采集；通過對采集的圖像進行處理得到所述晶圓保護模塊上的至少一個位置點與所述基準標記的實際相對位置，并將所述實際相對位置與所述位置點與所述基準標記的理論相對位置進行比較，進而獲得所述偏移量。

其中，所述方法進一步包括：根據所述基準標記的位置和所述理論位置計算所述晶圓保護模塊處于所述理論位置時，所述位置點與所述基準標記之間的所述理論相對位置。

其中，所述晶圓保護模塊為保護環，所述位置點包括位于所述保護環的內邊緣或外邊緣或有特征圖形表面上的第一位置點和第二位置點，且所述第一位置點和所述第二位置點與所述保護環中心的連線之間的夾角大于或等于90度。

其中，所述根據所述偏移量調整所述基臺與所述晶圓保護模塊的相對位置的步驟包括：將所述晶圓保護模塊從所述基臺上取下；相對于所述晶圓保護模塊對所述基臺進行位置調整。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種光刻機，所述光刻機包括：基臺，用于放置晶圓保護模塊且設置有基準標記；檢測設備，用于根據所述基準標記檢測并計算所述晶圓保護模塊在所述基臺上的實際位置與理論位置的偏移量，并判斷所述偏移量是否大于預設閾值；調整設備，用于在所述偏移量大于所述預設閾值時根據所述偏移量調整所述基臺與所述晶圓保護模塊的相對位置，以使調整后所述偏移量小于或等于所述預設閾值。

其中，所述檢測設備包括：圖像采集設備，用于對所述晶圓保護模塊和所述基臺進行圖像采集；圖像處理設備，用于通過對采集的圖像進行處理得到所述晶圓保護模塊上的至少一個位置點與所述基準標記的實際相對位置，并將所述實際相對位置與所述位置點與所述基準標記的理論相對位置進行比較，進而獲得所述偏移量。

其中，所述圖像處理設備進一步根據所述基準標記的位置和所述理論位置計算所述晶圓保護模塊處于所述理論位置時，所述位置點與所述基準標記之間的所述理論相對位置。

其中，所述晶圓保護模塊為保護環，所述位置點包括位于所述保護環的內邊緣或外邊緣或有特征圖形表面上的第一位置點和第二位置點，且所述第一位置點和所述第二位置點與所述保護環中心的連線之間的夾角大于或等于90度。