[發(fā)明專利]一種光刻機(jī)的晶圓保護(hù)模塊的位置調(diào)整方法及光刻機(jī)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611217144.8 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106773542B | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳謙國 | 申請(專利權(quán))人: | 南通通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光刻 保護(hù) 模塊 位置 調(diào)整 方法 | ||
1.一種光刻機(jī)的晶圓保護(hù)模塊的位置調(diào)整方法,其特征在于,所述方法包括:
將晶圓保護(hù)模塊放置于基臺的表面上;
根據(jù)所述基臺的表面上預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)標(biāo)記檢測并計算所述晶圓保護(hù)模塊的實(shí)際位置與理論位置的偏移量;判斷所述偏移量是否大于預(yù)設(shè)閾值;其中,所述晶圓保護(hù)模塊為保護(hù)環(huán),對所述晶圓保護(hù)模塊和所述基臺進(jìn)行圖像采集,通過對采集的圖像進(jìn)行處理得到所述晶圓保護(hù)模塊上的至少兩個位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)際相對位置,并將所述實(shí)際相對位置與理論相對位置進(jìn)行比較,進(jìn)而獲得所述偏移量;所述理論相對位置為所述位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記的理論相對位置,所述位置點(diǎn)包括位于所述保護(hù)環(huán)的內(nèi)邊緣或外邊緣或有特征圖形表面上的第一位置點(diǎn)和第二位置點(diǎn),且所述第一位置點(diǎn)和所述第二位置點(diǎn)與所述保護(hù)環(huán)中心的連線之間的夾角大于或等于90度;
若大于所述預(yù)設(shè)閾值,則根據(jù)所述偏移量調(diào)整所述基臺與所述晶圓保護(hù)模塊的相對位置,以使調(diào)整后所述偏移量小于或等于所述預(yù)設(shè)閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進(jìn)一步包括:
根據(jù)所述基準(zhǔn)標(biāo)記的位置和所述理論位置計算所述晶圓保護(hù)模塊處于所述理論位置時,所述位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的所述理論相對位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述偏移量調(diào)整所述基臺與所述晶圓保護(hù)模塊的相對位置的步驟包括:
將所述晶圓保護(hù)模塊從所述基臺上取下;
相對于所述晶圓保護(hù)模塊對所述基臺進(jìn)行位置調(diào)整。
4.一種光刻機(jī),其特征在于,所述光刻機(jī)包括:
基臺,用于放置晶圓保護(hù)模塊且設(shè)置有基準(zhǔn)標(biāo)記;
檢測設(shè)備,用于根據(jù)所述基準(zhǔn)標(biāo)記檢測并計算所述晶圓保護(hù)模塊在所述基臺上的實(shí)際位置與理論位置的偏移量,并判斷所述偏移量是否大于預(yù)設(shè)閾值;其中,所述晶圓保護(hù)模塊為保護(hù)環(huán),所述檢測設(shè)備還包括圖像采集設(shè)備和圖像處理設(shè)備,所述圖像采集設(shè)備用于對所述晶圓保護(hù)模塊和所述基臺進(jìn)行圖像采集,所述圖像處理設(shè)備用于通過對采集的圖像進(jìn)行處理得到所述晶圓保護(hù)模塊上的至少兩個位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記的實(shí)際相對位置,并將所述實(shí)際相對位置與理論相對位置進(jìn)行比較,進(jìn)而獲得所述偏移量;所述理論相對位置為所述位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記的理論相對位置,所述位置點(diǎn)包括位于所述保護(hù)環(huán)的內(nèi)邊緣或外邊緣或有特征圖形表面上的第一位置點(diǎn)和第二位置點(diǎn),且所述第一位置點(diǎn)和所述第二位置點(diǎn)與所述保護(hù)環(huán)中心的連線之間的夾角大于或等于90度;
調(diào)整設(shè)備,用于在所述偏移量大于所述預(yù)設(shè)閾值時根據(jù)所述偏移量調(diào)整所述基臺與所述晶圓保護(hù)模塊的相對位置,以使調(diào)整后所述偏移量小于或等于所述預(yù)設(shè)閾值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻機(jī),其特征在于,所述圖像處理設(shè)備進(jìn)一步根據(jù)所述基準(zhǔn)標(biāo)記的位置和所述理論位置計算所述晶圓保護(hù)模塊處于所述理論位置時,所述位置點(diǎn)與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的所述理論相對位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻機(jī),其特征在于,所述調(diào)整設(shè)備包括:
機(jī)械手,用于將所述晶圓保護(hù)模塊從所述基臺上取下;
傳動機(jī)構(gòu),用于相對于所述晶圓保護(hù)模塊對所述基臺進(jìn)行位置調(diào)整。
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