[發(fā)明專利]ESD保護(hù)電路及其半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611215680.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN106653736A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾瑞克·布勞恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/60
• 分類號(hào): H01L23/60;H01L27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種ESD保護(hù)電路，耦接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間，其中，第一節(jié)點(diǎn)具有第一電壓，第二節(jié)點(diǎn)具有第二電壓，ESD保護(hù)電路包括：

放電晶體管，包括漏極、柵極、源極和體區(qū)，其中，放電晶體管的漏極耦接至第一節(jié)點(diǎn)，放電晶體管的源極耦接至第二節(jié)點(diǎn)，且放電晶體管的柵極耦接至放電晶體管的體區(qū)；以及

體區(qū)奪取電路，包括第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中，體區(qū)奪取電路的第一輸入端耦接至第一節(jié)點(diǎn)，體區(qū)奪取電路的第二輸入端耦接至第二節(jié)點(diǎn)，體區(qū)奪取電路的輸出端耦接至放電晶體管的體區(qū)，其中，體區(qū)奪取電路在輸出端輸出第一電壓和第二電壓中電壓值較小的。

2.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其中，放電晶體管包括金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其中，放電晶體管包括N型晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其中，第一節(jié)點(diǎn)為輸入焊盤且第二節(jié)點(diǎn)為接地焊盤。

5.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其中，體區(qū)奪取電路包括：

第一晶體管，包括漏極、源極、柵極和體區(qū)，其中，第一晶體管的漏極耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第一晶體管的柵極耦接至第二節(jié)點(diǎn)，第一晶體管的源極和體區(qū)耦接至放電晶體管的體區(qū)；以及

第二晶體管，包括漏極、源極、柵極和體區(qū)，其中，第二晶體管的漏極耦接至第二節(jié)點(diǎn)，第二晶體管的柵極耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第二晶體管的源極和體區(qū)耦接至放電晶體管的體區(qū)。

6.一種用于保護(hù)集成電路免受ESD損壞的半導(dǎo)體器件，集成電路耦接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間，半導(dǎo)體器件包括：

半導(dǎo)體層，具有第一導(dǎo)電類型且具有上表面；

第一阱、第二阱、第三阱和第四阱，均具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型，其中，第一阱、第二阱、第三阱和第四阱均位于半導(dǎo)體層中且與半導(dǎo)體層的上表面相接觸，且其中，第一阱、第二阱、第三阱和第四阱關(guān)于半導(dǎo)體層橫向地按順序排列；以及

第一柵極、第二柵極和第三柵極，位于半導(dǎo)體層的上表面上，且與半導(dǎo)體層絕緣，其中，第一柵極橫跨第一阱和第二阱的部分區(qū)域上方，第二柵極橫跨第二阱和第三阱的部分區(qū)域上方，第三柵極橫跨第三阱和第四阱的部分區(qū)域上方；

其中，第二阱和第三柵極耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第二柵極、第一阱和第四阱耦接至第二節(jié)點(diǎn)，且第一柵極和第三阱電耦接至半導(dǎo)體層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一導(dǎo)電類型為P型且第二導(dǎo)電類型為N型。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括具有第二導(dǎo)電類型的埋層和具有第一導(dǎo)電類型的襯底，且其中，埋層包圍在半導(dǎo)體層周圍且襯底包圍在埋層周圍。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，埋層和襯底電耦接至第二節(jié)點(diǎn)。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一阱包括第一組n個(gè)子阱，第二阱包括第二組n個(gè)子阱，第一柵極包括一組(2n-1)個(gè)子?xùn)艠O，且其中，第一組子阱和第二組子阱交叉排列，子?xùn)艠O中的每一個(gè)均橫跨在相應(yīng)的第一組子阱中的一個(gè)子阱和第二組子阱中的一個(gè)子阱的上方，其中，n為正整數(shù)。