[發明專利]一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鎳的擴散連接方法在審
| 申請號: | 201611215624.0 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106699214A | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 尹孝輝;高銀銀;國禮杰;包全和;張向忠 | 申請(專利權)人: | 安徽工業大學 |
| 主分類號: | C04B37/02 | 分類號: | C04B37/02 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所32207 | 代理人: | 蔣海軍 |
| 地址: | 243002 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三元 層狀 陶瓷 鈦硅化碳 金屬 擴散 連接 方法 | ||
1.一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鎳的擴散連接方法,其特征在于該擴散連接方法具體步驟如下:
(1)將三元層狀陶瓷Ti3SiC2與金屬鎳進行表面處理,然后將所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鎳進行研磨、拋光及超聲清洗;然后將處理好的所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鎳安裝在熱壓爐中,并將所述熱壓爐抽真空;
(2)當所述熱壓爐中的真空度達到5×10-2Pa時開始加熱,在溫度800~1100℃、壓力6~20MPa下恒壓保溫10~90min,使所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鎳進行擴散連接;
(3)所述擴散連接完成后,在原真空條件下使所述熱壓爐降溫至200℃,然后撤壓。
2.根據權利要求1所述的一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鎳的擴散連接方法,其特征在于所述步驟(2)中,以2~5MPa/min的加載速率加壓至6~20MPa。
3.根據權利要求1所述的一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鎳的擴散連接方法,其特征在于所述步驟(3)中,以5℃/min的降溫速率緩慢降溫至400℃,然后以10℃/min速率降溫至200℃。
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