[發(fā)明專利]一種利用TSV傳輸線網(wǎng)切換動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611211583.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106777722B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯立剛;葉彤旸;王海強(qiáng);仝保軍;彭曉宏;耿淑琴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F30/398 | 分類號(hào): | G06F30/398;G06F119/08 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 tsv 傳輸線 切換 動(dòng)態(tài) 調(diào)整 芯片 分布 方法 | ||
1.一種利用TSV傳輸線網(wǎng)切換動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布的方法,其特征在于:動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布首先建立3D集成電路版圖的直角坐標(biāo)系,在電路中的所有TSV上設(shè)置傳輸線網(wǎng);對(duì)電路進(jìn)行溫度分析,通過比較溫度,找到每層芯片非均勻熱源的位置并提取位置坐標(biāo),通過坐標(biāo)比對(duì)找到重疊熱源;將每個(gè)重疊熱源的溫度與過熱點(diǎn)臨界溫度進(jìn)行比對(duì),若重疊熱源溫度高于臨界溫度,則該重疊熱源中存在過熱點(diǎn);依次判斷重疊熱源中是否存在過熱點(diǎn),若存在,則啟動(dòng)位于重疊熱源中TSV傳輸線網(wǎng)上的多路開關(guān),將熱量分布到位于無重疊熱源區(qū)域中的TSV上,通過該區(qū)域內(nèi)的TSV一同進(jìn)行熱量傳導(dǎo),直至所有區(qū)域內(nèi)無過熱點(diǎn),完成整個(gè)自動(dòng)切換過程;
以下為實(shí)現(xiàn)本方法的具體步驟:
S1.輸入基本版圖信息,建立3D集成電路版圖直角坐標(biāo)系:在版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ),在每層芯片的版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ)1-An;所有直角坐標(biāo)系的坐標(biāo)軸均以投影下來的版圖的同一頂點(diǎn)為原點(diǎn),橫軸沿版圖水平方向邊緣建立,縱軸沿版圖的垂直方向邊緣建立,刻度標(biāo)準(zhǔn)為最小TSV工藝加工間距;
S2.提取并儲(chǔ)存版圖中所有TSV的位置,在TSV上布置一層傳輸線網(wǎng),在傳輸線網(wǎng)上設(shè)置多路開關(guān);
S3.利用熱分析提取每層芯片中非均勻熱源的坐標(biāo)值,找出重疊熱源,比較重疊熱源的溫度信息,找出過熱點(diǎn);
S3.1.熱分析得到各層芯片上溫度分布情況,找到非均勻熱源的位置,在各層芯片的直角坐標(biāo)系A(chǔ)1-An中依次提取每個(gè)熱源的四個(gè)頂點(diǎn)的位置坐標(biāo),如第一層芯片熱源1的四個(gè)頂點(diǎn)(xa_11,ya_11),(xa_12,ya_12),(xa_13,ya_13),(xa_14,ya_14),熱源2的四個(gè)頂點(diǎn)(xa_21,ya_21),(xa_22,ya_22),(xa_23,ya_23),(xa_24,ya_24),第二層芯片熱源1的四個(gè)頂點(diǎn)(xb_11,yb_11),(xb_12,yb_12),(xb_13,yb_13),(xb_14,yb_14),一直到第n層芯片熱源m的四個(gè)頂點(diǎn)(xn_m1,yn_m1),(xn_m2,yn_m2),(xn_m3,yn_m3),(xn_m4,yn_m4);比較每層芯片非均勻熱源的坐標(biāo)值,若在投影上有重疊區(qū)域,則定義該重疊區(qū)域?yàn)橹丿B熱源;
S3.2.設(shè)置溫度成為過熱點(diǎn)時(shí)的臨界溫度為T0;
S3.3.將重疊熱源的位置坐標(biāo)提取到總版圖的直角坐標(biāo)系A(chǔ)中,利用熱分析得到每個(gè)重疊熱源區(qū)域中最高的溫度值T1,T2…Tn;
S3.4.將T1,T2…Tn依次與T0進(jìn)行比較,若該重疊熱源最高溫度小于T0,則進(jìn)行下一個(gè)重疊熱源最高溫度的比較;若所有重疊熱源最高溫度均小于T0,則傳輸線網(wǎng)不工作,芯片熱分布完成;若重疊熱源最高溫度大于T0,則該區(qū)域內(nèi)存在過熱點(diǎn),有待于傳輸線網(wǎng)進(jìn)行熱分布;
S4.傳輸線網(wǎng)進(jìn)行切換,實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布;
S4.1.依次找到存在過熱點(diǎn)的重疊熱源區(qū)域,并通過坐標(biāo)對(duì)比找到完全位于該區(qū)域內(nèi)的TSV;
S4.2.打開多路開關(guān),通過傳輸線網(wǎng)使位于該區(qū)域內(nèi)的TSV與位于相鄰無重疊熱源區(qū)域內(nèi)的TSV連接;連接時(shí)采取就近原則,即在相鄰的無重疊熱源區(qū)域內(nèi),先連接距離該有重疊熱源區(qū)域最近的TSV,檢測(cè)溫度,若過熱點(diǎn)依然存在,則有重疊區(qū)域內(nèi)的TSV進(jìn)一步向內(nèi)連接同時(shí)無重疊區(qū)域內(nèi)的TSV進(jìn)一步向外連接,直至過熱點(diǎn)消失;
S4.3.判斷是否有兩片或更多重疊熱源區(qū)域內(nèi)的TSV同時(shí)連接了同一個(gè)無重疊熱源區(qū)域內(nèi)的TSV,若有,則運(yùn)用多路開關(guān)進(jìn)行控制,改變其它重疊熱源區(qū)域內(nèi)TSV的連接,以免造成新的過熱點(diǎn)的產(chǎn)生;
S4.4.整個(gè)連接完成后,運(yùn)用熱分析查看電路中是否仍然存在過熱點(diǎn),若不存在,動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布完成;若依然存在,打開多路開關(guān),增加該重疊熱源區(qū)域內(nèi)TSV向外連接的無重疊熱源中TSV的個(gè)數(shù),增加時(shí)注意判斷不要與其它重疊熱源內(nèi)的TSV連接到同一個(gè)TSV上,增加直至電路中不存在過熱點(diǎn);
S5.若電路工作時(shí)非均勻熱源發(fā)生變化,則重復(fù)上述S3和S4的步驟;
S6.更新加入連接線網(wǎng)和多路開關(guān)后的版圖信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用TSV傳輸線網(wǎng)切換動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布的方法,其特征在于:該方法建立3D集成電路中位于TSV上的一層傳輸線網(wǎng);由S1,S2,S3,S4,S5,S6六個(gè)步驟全部?jī)?nèi)容總結(jié)得到一種利用TSV傳輸線網(wǎng)切換動(dòng)態(tài)調(diào)整芯片熱分布系統(tǒng),該系統(tǒng)包括輸入單元、熱分析單元、比較單元、控制單元、判斷單元、存儲(chǔ)單元。
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