[發(fā)明專(zhuān)利]用于熱退火的方法以及通過(guò)該方法形成的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611205286.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107039256B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 亞歷山大·布里梅塞爾;斯特凡·沃斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種用于熱退火的方法，包括：

對(duì)半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化以形成所述半導(dǎo)體區(qū)域的結(jié)構(gòu)化的表面；

在所述半導(dǎo)體區(qū)域中布置摻雜劑；以及

通過(guò)用具有至少一個(gè)離散波長(zhǎng)的電磁輻射至少部分輻照所述結(jié)構(gòu)化的表面以至少部分地加熱所述半導(dǎo)體區(qū)域，從而至少部分地活化所述摻雜劑；以及

在與所述摻雜劑相反的一側(cè)的所述半導(dǎo)體區(qū)域之上或之中這兩者中的至少之一處形成摻雜區(qū)域，其中所述摻雜區(qū)域包括不同于所述摻雜劑的摻雜類(lèi)型以形成包括所述摻雜劑和所述摻雜區(qū)域的功率半導(dǎo)體電路元件，

其中，所述方法還包括在活化所述摻雜劑之后在所述結(jié)構(gòu)化的表面上方形成不透明層，所述不透明層覆蓋多于一半的結(jié)構(gòu)化的表面；以及

其中，對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化包括形成粗糙表面以降低所述半導(dǎo)體區(qū)域?qū)λ鲭姶泡椛涞姆瓷渎省?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化之前和之后這兩者中的至少一種情況下，將所述摻雜劑布置在所述半導(dǎo)體區(qū)域中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中僅通過(guò)所述結(jié)構(gòu)化的表面對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行加熱。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述電磁輻射包括脈沖輻射和相干輻射中至少之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中加熱所述半導(dǎo)體區(qū)域包括非熱平衡加熱過(guò)程。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，使得所述結(jié)構(gòu)化的表面的第一區(qū)域的第一反射特性不同于所述結(jié)構(gòu)化的表面的第二區(qū)域的第二反射特性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述結(jié)構(gòu)化的表面包括小面化結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述結(jié)構(gòu)化的表面包括以下中的至少之一：溝槽結(jié)構(gòu)、針狀結(jié)構(gòu)、多孔結(jié)構(gòu)、多個(gè)錐形突起。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述結(jié)構(gòu)化的表面包括棱錐結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化包括通過(guò)對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行各向異性蝕刻而形成無(wú)規(guī)棱錐。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化包括使用用于調(diào)節(jié)所述結(jié)構(gòu)化的表面的反射率的空間分布的掩模。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在活化所述摻雜劑期間，所述結(jié)構(gòu)化的表面被加熱至低于所述結(jié)構(gòu)化的表面的蒸發(fā)溫度的溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中活化所述摻雜劑包括使所述半導(dǎo)體區(qū)域至少部分地再結(jié)晶。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化期間，所述半導(dǎo)體區(qū)域的粗糙度增加；并且

其中在活化所述摻雜劑期間，所述半導(dǎo)體區(qū)域的粗糙度減小。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中輻照所述結(jié)構(gòu)化的表面包括使用激光源。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

形成電接觸所述結(jié)構(gòu)化的表面的至少一個(gè)集電極接觸焊盤(pán)。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行結(jié)構(gòu)化包括對(duì)所述半導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行減薄。