[發(fā)明專利]一種基于反向DC/DC控制器的反向升壓電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201611198730.2
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106655767A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 尹長彬;申鵬
• 申請（專利權）人: 天津七六四通信導航技術有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 天津中環(huán)專利商標代理有限公司12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種基于反向DC/DC控制器的反向升壓電路，其特征在于：所述的反向DC/DC控制器采用型號為LTC3863 的DC/DC電壓轉換控制芯片N2、所述的反向升壓電路包括LTC6900小功率低頻振蕩器N1、P溝道MOSFET管M1和肖特基二極管D1；小功率低頻振蕩器N1的3腳通過電阻R2與小功率低頻振蕩器N1的1腳連接后接+5V電源，小功率低頻振蕩器N1的2腳接地，小功率低頻振蕩器N1的5腳連接至控制芯片N2的1腳，控制芯片N2的2腳、4腳、6腳分別連接電阻R5的一端、電容C6的一端、電阻R6的一端，電阻R6的另一端通過電容C1與電阻R5和電容C6的另一端連接后接地，控制芯片N2的3腳接地；控制芯片N2的9腳通過電容C2連接控制芯片N2的11腳以及電容C8和電容C7的一端后接輸入電壓Vin端，電容C8和電容C7的另一端連接后接地；控制芯片N2的12腳接P溝道MOSFET管M1的柵極，控制芯片N2的11腳通過電阻R1與控制芯片N2的10腳連接后接P溝道MOSFET管M1的漏極，P溝道MOSFET管M1的源極與肖特基二極管D1的負極連接后通過電感L1接地；控制芯片N2的5腳和7腳分別連接電容C5的兩端，然后又分別連接電阻R4的兩端，同時控制芯片N2的7腳又通過電阻R3與續(xù)流二極管D1的正極以及電容C3、電容C11、電容C4、電容C9和電容C10的一端連接，連接后作為輸出電壓Vout端，電容C3、電容C11、電容C4、電容C9和電容C10的另一端連接后接地。