[發明專利]一種多孔基板及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法有效
| 申請號: | 201611195243.0 | 申請日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN106711049B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 唐凡 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 及其 制作方法 薄膜晶體管 | ||
本發明公開了一種薄膜晶體管的制作方法,包括步驟:S1、將填充材料填充至多孔基板的孔洞中,獲得承載基板;S2、在承載基板上制備柔性膜層;S3、去除填充材料;S4、在柔性膜層上制備有機發光二極管;S5、去除多孔基板,獲得薄膜晶體管。根據本發明的薄膜晶體管的制作方法,基于一種具有微孔結構的多孔基板,由于微孔的存在,在OLED制備過程中產生的氣泡可以得到釋放,避免氣泡對Array制程中光照影響和蒸鍍金屬掩膜版的損壞;同時免除了激光照射去除犧牲層的步驟以及傳統制作方法中的加熱步驟。本發明還公開了上述制作方法所使用的多孔基板及其制作方法,該多孔基板在使用后并無損傷,可以重復利用,減少污染與浪費,降低薄膜晶體管的制作成本。
技術領域
本發明屬于半導體技術領域,具體地講,涉及一種多孔基板及其制作方法、以及利用該多孔基板制作薄膜晶體管的方法。
背景技術
現階段柔性OLED器件的制備方法通常以玻璃基板為載體,經過下述主要步驟:(1)在玻璃基板表面涂布一層特殊膠材、或沉積一層無機物作為犧牲層;(2)在犧牲層上涂布聚合物單體、聚合物或者單體和預聚物的混合溶液,并通過烘烤等工藝使得單體聚合成柔性膜層;(3)在柔性膜層表面沉積水氧阻擋層;(4)進行Array制程、蒸鍍和封裝工藝完成柔性OLED器件的制備;(5)制備完成后通過激光或者烘烤的方法,使得犧牲層分解或軟化,再以較小的外力使得柔性OLED器件和玻璃基板分離。
但是,上述現有工藝存在諸多缺陷:(a)在柔性膜層制備過程中,柔性膜層與玻璃基板間易混入氣體,在后期Array制程和蒸鍍前烘烤過程中會產生氣泡,氣泡的產生會導致Array制程中光照缺陷和蒸鍍過程中對掩膜版的損傷;(b)柔性OLED器件受到激光照射,在柔性OLED器件表面會產生大量的熱,會對柔性OLED器件產生熱損傷的風險;(c)柔性膜層的材料主要為高分子,其與位于其表面的金屬電極之間具有較大差別的熱膨脹系數,易存在金屬電極與柔性膜層剝離的風險;(d)在進行激光照射時,激光可能會穿過玻璃基板并對玻璃基板上的有機發光材料產生影響,如分解、結晶等,尤其對底發射器件影響更為明顯;(e)激光設備價格高,對于量產線需要大筆投入。
雖然目前可采用以防水透氣材料制成的承載基板來克服上述氣泡的問題,但在該技術方案中,需要預先制備好柔性膜層,再采用粘合劑貼合于承載基板的表面;鑒于承載基板上有很多用于釋放氣泡的微孔,因此柔性膜層不能直接在承載基板上涂布成型,只能采取柔性基板與承載基板進行粘合貼合工藝,不僅增加了工藝的復雜性,同時柔性膜層的平整性也受到了巨大的挑戰;并且,因Array制程中柔性膜層會承受高達450℃的高溫,而且由于承載基板的透光性和對激光的散射問題,使得這種承載基板不適合激光剝離方式,只能采用加熱或機械剝離方式,又會引起殘膠清理的難題,因此該技術方案對承載基板和粘合劑的要求很高。
因此,在柔性OLED器件與載體基板剝離的過程中,急需采取一種對柔性OLED器件影響較小的方法,以提高產品良率。
發明內容
為解決上述現有技術存在的問題,本發明提供了一種薄膜晶體管的制作方法,該制作方法通過在多孔基板的孔洞中填充填充材料,實現了薄膜晶體管制作過程中柔性OLED與多孔基板的有效分離。
為了達到上述發明目的,本發明采用了如下的技術方案:
一種薄膜晶體管的制作方法,包括步驟:S1、將填充材料填充至多孔基板的孔洞中,獲得承載基板;S2、在所述承載基板上制備柔性膜層;S3、去除所述填充材料;S4、在所述柔性膜層上制備有機發光二極管;S5、去除所述多孔基板,獲得薄膜晶體管。
進一步地,在所述步驟S1中,所述填充材料的端部與所述多孔基板的表面相平齊。
進一步地,在所述步驟S5中,采用溶劑隔離法結合空氣施壓法去除所述多孔基板。
進一步地,在所述步驟S3中,采用溶解法去除所述填充材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





