[發明專利]一種離子注入設備的運轉方法

有效

• 申請號: 201611195015.3
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106783497B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 張豪峰;陳建榮;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 章蘭芳

本發明提供一種離子注入設備的運轉方法，所述離子注入設備設有離子源與引出電極系統，在所述離子注入設備離子注入結束后，進行基板交換期間，向所述離子源施加規定電壓設定倍數的電弧電壓，向所述引出電極系統施加規定電壓設定倍數的引出電壓和規定電壓設定倍數的加速電壓，若所述離子注入設備發生異常放電，則重新啟動所述離子注入設備，再進行離子注入；若所述離子注入設備未發生異常放電，則將電弧電壓、引出電壓和加速電壓恢復至規定電壓后，再進行離子注入；使得所述離子注入設備中淀積物的異常放電提前發生，減少離子注入時發生淀積物的異常放電。

技術領域

本發明涉及離子注入技術領域，具體涉及一種應用于玻璃基板有源矩陣發光二極管面板的離子注入設備的運轉方法。

背景技術

現有的離子注入設備，使用直流電引出離子束，并對離子束加速后，向處理室的基板照射離子束。在離子注入過程中，離子注入物在離子源內部耗損累積形成淀積物，所述淀積物將導致離子源腔室內壁的電容結構、電極板間的電容結構發生改變，從而引發頻發的異常放電。所述異常放電較輕微時，將造成離子源引出束流不穩定，使得離子注入均一性下降；當所述異常放電嚴重時，將在基板上產生灰塵或臟污污染基板，甚至使得離子源及引出電極系統失去固有電壓，造成設備停止運轉。針對這一問題，現有技術的解決方法是：在離子注入間隙，把氫氣導入離子源，在離子源內部產生氫等離子體，清洗離子源內部的淀積物，但是，在實際運用中，僅僅對離子源內部進行清洗，無法做到完全去除淀積物，剩余的淀積物仍會造成離子注入設備發生異常放電。

發明內容

針對上述現有技術的不足，本發明提供一種離子注入設備的運轉方法，通過在離子注入設備離子注入結束后，進行基板交換期間，向所述離子源施加規定電壓設定倍數的電弧電壓，向所述引出電極系統施加規定電壓設定倍數的引出電壓和規定電壓設定倍數的加速電壓，使得所述離子注入設備中淀積物的異常放電提前發生，減少離子注入時發生淀積物的異常放電。

為解決上述問題，本發明采用的技術方案為：

本發明提供一種離子注入設備的運轉方法，所述離子注入設備設有離子源與引出電極系統，在所述離子注入設備離子注入結束后，進行基板交換期間，向所述離子源施加規定電壓設定倍數的電弧電壓，向所述引出電極系統施加規定電壓設定倍數的引出電壓和規定電壓設定倍數的加速電壓，若所述離子注入設備發生異常放電，則重新啟動所述離子注入設備，再進行離子注入；若所述離子注入設備未發生異常放電，則將電弧電壓、引出電壓和加速電壓恢復至規定電壓后，再進行離子注入。

具體的，將所述規定電壓設定倍數設置為規定電壓的1.5倍。

進一步地，在向所述離子源施加規定電壓設定倍數的電弧電壓的同時，將離子源的燈絲電流增大至規定電流的設定倍數。

具體地，將所述規定電流設定倍數設置為規定電流的1.05倍。

又進一步地，在向所述離子源施加的電弧電壓恢復至規定電壓的同時，將離子源的燈絲電流恢復至規定電流。

本發明的有益效果在于：本發明提供的一種離子注入設備的運轉方法，通過在所述離子注入設備離子注入結束后，進行基板交換期間，向所述離子源施加規定電壓設定倍數的電弧電壓，向所述引出電極系統施加規定電壓設定倍數的引出電壓和規定電壓設定倍數的加速電壓，使得所述離子注入設備中淀積物的異常放電提前發生，減少離子注入時發生淀積物的異常放電；改善了離子注入設備進行離子注入時發生異常放電，導致離子注入均一性下降、設備停止運轉的問題。

附圖說明

圖1是本發明一種離子注入設備的運轉方法的流程框圖；

圖2是離子注入過程中極內異常放電結構示意圖；

圖3是離子注入過程中極間異常放電結構示意圖。

具體實施方式