[發明專利]一種氣體團簇離子束修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法在審
| 申請號： | 201611191829.X | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN108232007A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 張云森 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/14 | 分類號： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性隧道結 氣體團簇離子束 刻蝕 修剪 電介質 沉積層 側壁 基底 團簇 沉積 損傷 磁性隨機存儲器 圖形化定義 側壁損傷 電學性能 化學拋光 氣體原子 硬掩模膜 底電極 多層膜 圖案化 硬掩模 濺射 良率 磨平 去除 圖案 覆蓋 | ||
1.一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，采用氣體團簇離子束對刻蝕之后的磁性隧道結進行修剪。
2.根據權利要求1所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一：提供底電極基底，并在所述基底上沉積磁性隧道結多層膜和硬掩模膜層；
步驟二：圖形化定義磁性隧道結圖案，刻蝕所述磁性隧道結；
步驟三：采用氣體團簇離子束對被刻蝕后的所述磁性隧道結側壁進行修剪以除去側壁損傷和/或沉積層；
步驟四：沉積電介質，化學拋光磨平所述電介質直到所述硬掩模膜層的頂部。
3.根據權利要求2所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述氣體團簇離子束所采用的氣體為Ar、N2、O2、CO、CO2、NO、N2O、NO、NO2、NH3、H2、He、Ne、Xe、CF4、SF6、NF3、CHF3、CH2F2和CH4中的一種或者幾種。
4.根據權利要求2所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述氣體團簇離子束的加速電壓范圍是3KeV～60KeV。
5.根據權利要求2所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述氣體團簇離子束的輻照劑量范圍是5×1013ions/cm2～5×1018ions/cm2。
6.根據權利要求2所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述氣體團簇離子束垂直入射或者采用小于45度的輻照角度入射。
7.根據權利要求6所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述輻照角度選用5度、10度或15度。
8.根據權利要求2所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，步驟三中，對所述側壁修剪之后，立即沉積一層側壁保護層。
9.根據權利要求8所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述側壁保護層的材料選自SiN、SiCN或SiC。
10.根據權利要求8所述的一種修剪被刻蝕后的磁性隧道結的方法，其特征在于，所述側壁保護層采用化學氣相沉積或原子層沉積獲得。
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