[發明專利]一種提高區熔硅單晶生長過程中放肩成功率的方法

有效

• 申請號: 201611190889.X
• 申請日: 2016-12-20
• 公開（公告）號: CN108203841B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 陳海濱;張建;李明飛;李宗峰;王永濤
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料有限公司
• 主分類號: C30B13/30
• 分類號: C30B13/30
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青;熊國裕

1.一種提高區熔硅單晶生長過程中放肩成功率的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將切好的方形[111]晶向籽晶腐蝕、清洗、烘干；

(2)將籽晶固定在籽晶夾頭上，將籽晶前端剪去一部分，露出一個不平的端面；

(3)將籽晶夾頭固定在籽晶對中器下部的梢桿上，籽晶不平的端面朝上，開啟籽晶對中器上部的激光，激光照射到籽晶端面上并向上反射到籽晶對中器上部的刻度盤上，旋轉籽晶對中器下部的梢桿以調整激光照射籽晶端面的位置，直到籽晶對中器上部的刻度盤上出現互成120°排列的3葉光瓣，在籽晶夾頭對應位置上標記3葉光瓣的位置；

(4)將固定有籽晶的籽晶夾頭從籽晶對中器取出，安裝在區熔爐下軸的梢桿上，旋轉籽晶夾頭，使籽晶夾頭3個標記位于1次夾持和二次夾持位置的中間；

(5)將多晶料掛在區熔爐上爐室，并將多晶料與籽晶對中，抽真空，充氬氣，預熱，熔接，縮細徑，放肩直至等徑、收尾。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟(2)中，籽晶前端剪去10mm。