[發(fā)明專利]晶片的加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611190802.9 | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN106997867B | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸昕;久保敦嗣 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
提供晶片的加工方法,能夠得到品質(zhì)良好的被稱為晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的封裝器件。一種晶片的加工方法,該晶片在對形成于正面的多個器件進行劃分的多條分割預(yù)定線上形成有深度相當(dāng)于器件的完工厚度的槽,并在包含器件在內(nèi)的正面上敷設(shè)有模制樹脂并且在槽中埋設(shè)有模制樹脂,其中,該晶片的加工方法包含如下的工序:模制樹脂去除工序,將敷設(shè)在晶片的正面上的模制樹脂的外周部去除而使埋設(shè)于槽中的模制樹脂在晶片的正面露出;以及分割槽形成工序,對在晶片的外周部露出的埋設(shè)于該槽中的模制樹脂進行檢測,并將激光光線的聚光點定位在埋設(shè)于槽中的模制樹脂的寬度方向中央而沿著槽進行照射,由此,形成將晶片分割成各個器件的分割槽。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶片的加工方法,將晶片沿著分割預(yù)定線分割成各個器件并且利用樹脂將各個器件覆蓋,在該晶片中,在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個區(qū)域內(nèi)形成有器件。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體器件制造工藝中,在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面上通過呈格子狀排列的分割預(yù)定線劃分出多個區(qū)域,在該劃分出的區(qū)域內(nèi)形成IC、LSI等器件。通過將這樣形成的半導(dǎo)體晶片沿著分割預(yù)定線切斷,對形成有器件的區(qū)域進行分割而制造出各個器件。
近年來,開發(fā)出將晶片分割成各個器件并且利用樹脂將各個器件覆蓋的封裝技術(shù)。在下述專利文獻1中公開了作為該封裝技術(shù)的一種的被稱為晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的封裝技術(shù)。
關(guān)于在下述專利文獻1中公開的封裝技術(shù),在晶片的背面上覆蓋樹脂并從晶片的正面沿著分割預(yù)定線形成到達(dá)樹脂的切削槽,在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂而對各器件進行覆蓋并且在切削槽中埋設(shè)模制樹脂,然后通過厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具將填充到切削槽的模制樹脂切斷,由此,分割成各個被稱為晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的封裝器件。
并且,作為制造出被稱為晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的封裝器件的晶片的加工方法而開發(fā)出如下技術(shù)。
(1)從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線形成深度相當(dāng)于器件的完工厚度的切削槽。
(2)在晶片的正面上敷設(shè)模制樹脂并且在切削槽中埋設(shè)模制樹脂。
(3)在敷設(shè)于晶片的正面的模制樹脂的正面上粘貼保護部件并對晶片的背面進行磨削而使切削槽露出。
(4)將晶片的背面粘貼在劃片帶上,通過厚度比切削槽的寬度薄的切削刀具將埋設(shè)于切削槽的模制樹脂切斷,由此,分割成各個被稱為晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的封裝器件。
專利文獻1:日本特開2006-100535號公報
但是,在上述的任意的加工方法中,也存在如下問題:在通過切削刀具將埋設(shè)于切削槽的模制樹脂切斷時,由于在晶片的正面上敷設(shè)有模制樹脂,所以以形成于器件并從模制樹脂的正面露出的突起電極即凸點為基準(zhǔn)將切削刀具間接地定位在形成于分割預(yù)定線的切削槽上,但由于凸點與分割預(yù)定線未必呈準(zhǔn)確的位置關(guān)系,所以切削刀具從形成于分割預(yù)定線的切削槽偏離而對構(gòu)成晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)的器件的側(cè)面造成損傷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的,其主要的技術(shù)課題在于提供晶片的加工方法,能夠得到品質(zhì)良好的晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)。
為了解決上述主要的技術(shù)課題,根據(jù)本發(fā)明,提供一種晶片的加工方法,該晶片在對形成于正面的多個器件進行劃分的多條分割預(yù)定線上形成有深度相當(dāng)于器件的完工厚度的槽,并在包含器件在內(nèi)的正面上敷設(shè)有模制樹脂并且在該槽中埋設(shè)有模制樹脂,該晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:模制樹脂去除工序,將敷設(shè)在晶片的正面上的模制樹脂的外周部去除而使埋設(shè)于該槽中的模制樹脂在晶片的正面露出;以及分割槽形成工序,在實施了該模制樹脂去除工序之后,對在晶片的外周部露出的埋設(shè)于該槽中的模制樹脂進行檢測,并將激光光線的聚光點定位在埋設(shè)于該槽中的模制樹脂的寬度方向中央而沿著該槽進行照射,由此形成將晶片分割成各個器件的分割槽。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社迪思科,未經(jīng)株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611190802.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





