[發明專利]集成電路芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201611190566.0
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106601715A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 肖明;姚澤強;李恒;銀發友
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成電路芯片，包括：

襯底，制作有集成電路和金屬層，其中金屬層電氣耦接至集成電路；

鈍化層，覆蓋在襯底上；

通孔，位于鈍化層中；

再布線層，分布于通孔中和鈍化層的部分區域上，通過通孔電氣耦接至金屬層，再布線層具有上表面和側面；

第一介質層，分布在再布線層的上表面和側面，第一介質層具有上表面和側面；以及

第二介質層，分布在第一介質層上表面的部分區域、側面以及鈍化層的剩余區域。

2.如權利要求1所述的集成電路芯片，還包括焊接凸起結構，分布在第一介質層上表面的剩余區域。

3.如權利要求1所述的集成電路芯片，其中所述第一介質層包括錫、金、鉛、鉑、鎳、鈀或者鈦。

4.如權利要求1所述的集成電路芯片，其中所述第二介質層包括聚酰亞胺樹脂或者聚對苯撐苯并二噁唑。

5.一種集成電路芯片，包括：

襯底，制作有集成電路和金屬層，其中金屬層電氣耦接至集成電路；

鈍化層，覆蓋在襯底上；

第一連接單元和第二連接單元，每個連接單元各包括：

通孔，分布在鈍化層中；

再布線層，分布于通孔中和鈍化層的部分區域上，通過通孔電氣耦接至金屬層，再布線層具有上表面和側面；以及

第一介質層，覆蓋在再布線層的上表面和側面，第一介質層具有上表面和側面，以及

第二介質層，覆蓋在第一介質層上表面的部分區域、側面以及鈍化層的剩余區域上。

6.如權利要求5所述的集成電路芯片，其中每個連接單元還包括焊接凸起結構，分布在第一介質層上表面的剩余區域上。

7.如權利要求5所述的集成電路芯片，其中所述第一介質層包括錫、金、鉛、鉑、鎳、鈀或者鈦。

8.如權利要求5所述的集成電路芯片，其中所述第二介質層包括聚酰亞胺樹脂或者聚對苯撐苯并二噁唑。

9.一種制作集成電路芯片的方法，包括：

在制作有集成電路和金屬層的襯底上形成鈍化層；

在鈍化層中形成通孔；

在鈍化層表面的部分區域以及通孔中形成再布線層；

以化學鍍的方法在再布線層的上表面和側面形成第一介質層；以及

在第一介質層上以及鈍化層表面的剩余區域上形成第二介質層。

10.如權利要求9所述的制造集成電路芯片的方法，還包括對第二介質層進行顯影以及曝光形成窗口以漏出第一介質層的部分區域，以及在第一介質層的部分區域上形成焊接凸起結構。

11.如權利要求9所述的制造集成電路芯片的方法，其中所述第一介質層包括錫、金、鉛、鉑、鎳、鈀或者鈦。

12.如權利要求9所述的制造集成電路芯片的方法，其中所述第二介質層包括聚酰亞胺樹脂或者聚對苯撐苯并二噁唑。

13.如權利要求9所述的制造集成電路芯片的方法，其中通過涂抹的方法形成第二介質層。