[發明專利]一種器件熱傳導無損失效分析方法及裝置在審
| 申請號： | 201611190167.4 | 申請日： | 2016-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN106841240A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 張宇隆;高博;鄧海濤;王立新;羅家俊;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G01N23/04 | 分類號： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 器件 熱傳導 無損 失效 分析 方法 裝置 | ||
1.一種器件熱傳導無損失效分析方法，其特征在于，包括：
獲取待分析器件的結構函數曲線；
比對所述待分析器件的結構函數曲線和合格器件的結構函數曲線，以確定所述待分析器件的熱阻異常層；
采用X射線電子計算機斷層掃描方法，對所述熱阻異常層進行結構圖像重構；
根據所述結構圖像重構結果，確定所述熱阻異常層的失效原因。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述結構函數曲線，包括：積分函數曲線和微分函數曲線。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
所述結構函數曲線上包括N個拐點，所述N個拐點中相鄰兩拐點間的曲線為一曲線段；所述N個拐點對應所述待分析器件的N個層間界面；所述曲線段對應所述待分析器件的結構層；N為正整數；
所述比對所述待分析器件的結構函數曲線和合格器件的結構函數曲線，以確定所述待分析器件的熱阻異常層，包括：
按曲線段，分段對應比對所述待分析器件的結構函數曲線和合格器件的結構函數曲線，以所述待分析器件的結構函數曲線上的異常曲線段對應的結構層為所述熱阻異常層。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述結構層包括以下一種或多種的組合：
芯片層、焊料層、過渡片層、絕緣片層、底座層、導熱膠層或冷卻基板層。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述結構圖像重構結果，確定所述熱阻異常層的失效原因，包括：
比對所述結構圖像重構結果和合格器件的圖像重構信息，確定所述熱阻異常層的失效原因。
6.如權利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述方法應用于厚金屬封裝功率器件。
7.一種器件熱傳導無損失效分析裝置，其特征在于，包括：
獲取模塊，用于獲取待分析器件的結構函數曲線；
比對模塊，用于比對所述待分析器件的結構函數曲線和合格器件的結構函數曲線，以確定所述待分析器件的熱阻異常層；
重構模塊，用于采用X射線電子計算機斷層掃描方法，對所述熱阻異常層進行結構圖像重構；
確定模塊，用于根據所述結構圖像重構結果，確定所述熱阻異常層的失效原因。
8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述比對模塊還用于：
按曲線段，分段對應比對所述待分析器件的結構函數曲線和合格器件的結構函數曲線，以所述待分析器件的結構函數曲線上的異常曲線段對應的結構層為所述熱阻異常層。
9.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述確定模塊還用于：
比對所述結構圖像重構結果和合格器件的圖像重構信息，確定所述熱阻異常層的失效原因。
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