[發(fā)明專利]顯示設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611189564.X | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN107403819B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林俊賢;謝志勇;謝朝樺;郭書銘 | 申請(專利權)人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
本發(fā)明提供一種顯示設備。本發(fā)明的顯示設備包括具有多個像素區(qū)的基板、多個主動組件、多條第一信號線、多條第二信號線、多個接地信號線以及多個發(fā)光二極管。多個接地信號線配置于基板上且與多條第一信號線交替排列。至少一個發(fā)光二極管具有第一電極與第二電極。至少一個發(fā)光二極管的第一電極與對應的一個主動組件電性連接。至少一個發(fā)光二極管的第二電極與對應的一個接地信號線電性連接。位于同一像素區(qū)的至少二個發(fā)光二極管電性連接至相鄰兩條第一信號線之間的同一個接地信號線。本發(fā)明的顯示設備具有高分辨率。
技術領域
本發(fā)明涉及一種顯示器,且特別涉及一種運用微型發(fā)光二極管的顯示設備。
背景技術
承繼發(fā)光二極管的特性,運用微型發(fā)光二極管之顯示設備具有低功耗、高亮度、色彩飽和度、反應速度快、省電等優(yōu)點。此外,顯示設備還具有材料穩(wěn)定性佳及無影像殘留(image sticking)的優(yōu)勢,因此,運用微型發(fā)光二極管顯示器的顯示設備的顯示技術倍受關注。其中,如何提升運用微型發(fā)光二極管顯示器的顯示設備的分辨率更是開發(fā)的重點之一。
顯示設備包括基板以及配置于主動組件基板上的多個發(fā)光二極管。主動組件基板具有反射結構,例如:主動組件、掃描線、數(shù)據(jù)線、電容電極等。在外界光束照射的情況下,主動組件基板的反射結構會反射外界光束。被反射的外界光束會干擾發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光束,而影響顯示效果。因此,如何改善外界光束影響顯示效果的問題也是目前顯示設備的開發(fā)重點之一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示設備,具有高分辨率。
本發(fā)明提供一種顯示設備,顯示效果佳。
本發(fā)明的顯示設備包括基板、多個主動組件、多條第一信號線、多條第二信號線、多個接地信號線以及多個發(fā)光二極管。基板具有多個像素區(qū)。多個主動組件配置于基板上。多條第一信號線以及多條第二信號線配置于基板上且與主動組件電性連接。至少一個第一信號線的延伸方向與至少一個第二信號線的延伸方向不同。多個接地信號線配置于基板上且與第一信號線交替排列。多個發(fā)光二極管配置于基板上。至少一個發(fā)光二極管具有第一電極與第二電極。至少一個發(fā)光二極管的第一電極與對應的一個主動組件電性連接。至少一個發(fā)光二極管的第二電極與對應的一個接地信號線電性連接。位于同一像素區(qū)的至少二個發(fā)光二極管電性連接至相鄰兩條第一信號線之間的同一個接地信號線。
本發(fā)明的顯示設備包括基板、多個發(fā)光二極管、第一絕緣層以及抗反射導電層。基板具有多個子像素區(qū)以及位于多個子像素區(qū)的多個反射結構。多個發(fā)光二極管配置于多個子像素區(qū)上且與基板電性連接。第一絕緣層填充于多個發(fā)光二極管之間。抗反射導電層配置于第一絕緣層上。抗反射導電層的反射率低于反射結構的反射率。抗反射導電層遮蔽基板的反射結構且具有多個開口。開口暴露發(fā)光二極管的發(fā)光區(qū)。
基于上述,在本發(fā)明一實施例的顯示設備中,位于同一像素區(qū)的至少二個發(fā)光二極管電性連接至相鄰兩條第一信號線之間的同一個接地信號線。由此,顯示設備的基板的面積能有效率地被使用,而實現(xiàn)具有高分辨率的顯示設備。
本發(fā)明另一實施例的顯示設備包括抗反射導電層。抗反射導電層的反射率低于顯示設備的主動組件基板的反射結構的反射率。抗反射導電層遮蔽基板的反射結構。由于抗反射導電層遮蔽基板的反射結構,因此射向顯示設備的大部分的外界光束會被抗反射導電層阻擋而不易被具有高反射率的基板的反射結構反射。由此,外界光束被反射的量小,而不易干擾使用者觀看顯示設備的微型發(fā)光二極管所發(fā)出的光束,進而使顯示設備的顯示效果佳。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所示附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實施例的顯示設備的俯視示意圖;
圖2為本發(fā)明一實施例的一個發(fā)光二極管的剖面示意圖;
圖3為本發(fā)明另一實施例的顯示設備的俯視示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





